有效地進(jìn)行球狀體培養(yǎng)。培養(yǎng)基材是制作對細(xì)胞進(jìn)行培養(yǎng)、使其三維凝集而成的球狀體的培養(yǎng)容器。培養(yǎng)基材包含合成樹脂材料。在培養(yǎng)基材的表面形成有成為細(xì)胞培養(yǎng)隔室的多個凹坑部(20)。多個凹坑部(20)通過對培養(yǎng)基材表面照射激光而形成。在凹坑部(20)的開口周邊形成有合成樹脂材料熔解、上升而成的堤壩部(22)。彼此接近的2個凹坑部(20)之間的培養(yǎng)基材表面為非平坦面。

1.一種培養(yǎng)基材，其特征在于，在培養(yǎng)基材表面形成多個
凹坑部，所述凹坑部形成用于培養(yǎng)被培養(yǎng)物的隔室，彼此接近
的所述凹坑部之間的培養(yǎng)基材表面為非平坦面，
在平坦的底面部的上表面形成培養(yǎng)基材的凹坑、堤壩，
彼此接近的凹坑部之間的培養(yǎng)基材表面與凹坑部形成為連
續(xù)的曲面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，夾在彼此
接近的所述凹坑部之間的所述非平坦面具有堤壩部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，至少
所述凹坑部的內(nèi)表面通過細(xì)胞粘附抑制劑形成覆膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，所述
凹坑部的開口的直徑為20μm以上且1500μm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，所述
凹坑部的深度為10μm以上且1500μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，所述
多個凹坑部密集地配置在所述培養(yǎng)基材表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，在所
述培養(yǎng)基材表面的孔形成區(qū)域的表面形成多個所述凹坑部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，在所
述培養(yǎng)基材表面的孔形成區(qū)域的表面形成10個/cm²～10000個
/cm²的所述多個凹坑部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，所述
凹坑部是通過向所述培養(yǎng)基材表面照射激光而形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的培養(yǎng)基材，其特征在于，所述
培養(yǎng)基材的材質(zhì)包含合成樹脂。
11.一種培養(yǎng)容器，其具備權(quán)利要求1～10中任一項所述的培
養(yǎng)基材。