本發(fā)明公開(kāi)了一種山葵脫毒苗的培養(yǎng)方法，該方法選用無(wú)菌的山葵芽體為培養(yǎng)材料，經(jīng)變溫處理后，取其芽分生組織接入?yún)采糠只囵B(yǎng)基中，再經(jīng)壯苗培養(yǎng)基和生根培養(yǎng)基的誘導(dǎo)培養(yǎng)而獲得山葵脫毒苗，所培養(yǎng)的山葵脫毒苗具有生長(zhǎng)速度快、有效組分含量高等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明方法為山葵優(yōu)良品種的快速培育提供了一條新途徑。

1.一種山葵脫毒苗的培養(yǎng)方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)切取山葵根莖上生長(zhǎng)的芽體的芽尖部分，將其放在超凈工作臺(tái)上，
先用0.1％的升汞消毒2～5分鐘，再用無(wú)菌水清洗后，接種于促進(jìn)芽尖快速
生長(zhǎng)的培養(yǎng)基MS+KT0.5～1.5mg·L^-1+NAA0.3～1.0mg·L^-1中，在12～
20℃、每天光照6～12小時(shí)、光照強(qiáng)度為1000～1500lx的條件下進(jìn)行培養(yǎng)；
(2)選取步驟(1)中培養(yǎng)的長(zhǎng)度在1.0cm以上的無(wú)菌芽體，轉(zhuǎn)接入
MS+6-BA?1.0～3.0mg·L^-1+IAA0.5～2.0mg·L^-1+脯氨酸0.5～2％+活性炭
1～3％的培養(yǎng)基中，先在5℃的條件下培養(yǎng)15天，再放在培養(yǎng)箱中進(jìn)行8～
15天的變溫處理，所述變溫處理是指在8～12℃的條件下培養(yǎng)19小時(shí)與在
30～45℃的條件下培養(yǎng)5小時(shí)交替進(jìn)行；
(3)選取生長(zhǎng)良好的芽體于解剖鏡下，用解剖針小心剝?nèi)パ矿w外面的
幼葉后，切取帶有1～4個(gè)葉原基的芽分生組織，接入?yún)采糠只囵B(yǎng)基
MS+6-BA1～3mg·L^-1+KT0.1～0.5mg·L^-1中，在15～22℃、每天光照10～
14小時(shí)、光照強(qiáng)度為1000～1500lx的條件下培養(yǎng)；
(4)選取生長(zhǎng)的山葵叢生芽，將其分割為單株后轉(zhuǎn)入壯苗培養(yǎng)基MS+
NAA0.05～0.1mg·L^-1+6-BA0.1～0.5mg·L^-1+KT0.05～0.2mg·L^-1中，在
10～18℃、每天光照10～16小時(shí)、光照強(qiáng)度為1000～1500lx的條件下培養(yǎng)；
(5)選取生長(zhǎng)健壯的山葵無(wú)根苗接入生根培養(yǎng)基White+NAA0.1～1.0
mg·L^-1中，在15～22℃、每天光照6～10小時(shí)、光照強(qiáng)度為800～1000lx
的條件下誘導(dǎo)生根；
(6)當(dāng)無(wú)根苗長(zhǎng)出3～4條以上不定根時(shí)，打開(kāi)瓶蓋，在室內(nèi)煉苗2～4
天后，將其從培養(yǎng)瓶中取出，用無(wú)菌水洗去不定根上的培養(yǎng)基后，移栽至
消毒后的土壤中生長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種山葵脫毒苗的培養(yǎng)方法，其特征在于：
步驟(1)中所述芽體的芽尖部分是指芽體上部長(zhǎng)度為0.2～0.5cm的芽尖
部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種山葵脫毒苗的培養(yǎng)方法，其特征在于：
步驟(6)中所述土壤是由蛭石和全營(yíng)養(yǎng)土按2:1配制而成，消毒是指先采
用0.1％多菌靈消毒6～10小時(shí)，再用0.1％高錳酸鉀消毒12～24小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種山葵脫毒苗的培養(yǎng)方法，其特征在于：
步驟(6)中煉苗的培養(yǎng)條件為溫度15～20℃和相對(duì)濕度80％～95％，移栽
后的培養(yǎng)條件為培養(yǎng)溫度12～20℃、相對(duì)濕度為70～80％、每天光照4～
10小時(shí)和光照強(qiáng)度為800～1200lx。