新材料技術(shù)領(lǐng)域2003年度課題申請指南
發(fā)布時間：2003-04-09 來源：上海市科學(xué)技術(shù)委員會 二、課題申報書編寫及報送注意事項(xiàng)
1、本指南面向全國企業(yè)、高等院校、科研機(jī)構(gòu)公開發(fā)布。
2、凡申請本主題課題，研究內(nèi)容必須在本指南公布范圍之內(nèi)。
3、課題申請人(負(fù)責(zé)人)一般須具有高級技術(shù)職稱或者博士學(xué)位，年齡不得超過55歲。
4、承擔(dān)863計劃、973計劃和重大國際合作計劃在研課題的負(fù)責(zé)人，不能作為課題組組長申請本年度課題。作為課題負(fù)責(zé)人和課題主要科研人員同期參與承擔(dān)的863、973和國家科技攻關(guān)計劃的課題數(shù)（含主持的課題數(shù)）不得超過兩項(xiàng)。
5、課題申請書請登錄863計劃網(wǎng)站（www.863.org.cn）查閱和下載。
6、課題申請人須按照本《指南》和《課題申請書》的要求，認(rèn)真如實(shí)地編寫《課題申請書》，在申請截止日期內(nèi)提交課題申請。課題申報時需提交書面申請書一式10份，經(jīng)所在單位推薦并加蓋紅章。同時，為了提高"十五"863計劃課題審理工作的效率，請一并填報
"863計劃課題申請書"數(shù)據(jù)庫格式（"863計劃課題申請書錄入程序"請在863計劃網(wǎng)站文件下載處下載），并存于軟盤或光盤與課題申請書一起上報。查新必須有原件一份（請在封面注明"原件"），其余可為復(fù)印件。
7、課題申請人須將課題申請書抄報地方或部門科技主管部門一份。對有地方、部門實(shí)際參與的課題，應(yīng)有地方、部門的具體意見。
8、申請書中涉及自籌經(jīng)費(fèi)、地方政府投入經(jīng)費(fèi)、銀行貸款及其它來源經(jīng)費(fèi)的，應(yīng)有落實(shí)資金的承諾和證明。
9、申請書的內(nèi)容填寫要實(shí)事求是、真實(shí)可信，申報書中的預(yù)期目標(biāo)和成果形式要清楚明確，應(yīng)盡可能是驗(yàn)收時可以用于評估、評價的內(nèi)容。如果發(fā)現(xiàn)申請書中有嚴(yán)重虛假內(nèi)容，將被取消參評資格，即使已經(jīng)獲得批準(zhǔn)的課題也將被中止執(zhí)行。
10、每一課題申請人可以提出不超過2名的建議回避自己課題評審的同行專家名單（名單可以隨課題申請書一同寄出）。
11、為了減輕申請書的重量和便于整理，所有申請書請采用雙面印刷，普通裝訂。請不要采用膠圈、文件夾等帶有突出棱邊的裝訂方式。封面均為普通紙質(zhì)材料，不要用其它質(zhì)地堅硬的材料。
12、本年度課題申報受理開始日期為2003年5月10日，截止日期為2003年5月25日（郵寄申請書以投寄日的郵戳為準(zhǔn)）。
一、光電子材料及器件技術(shù)主題
二、特種功能材料技術(shù)主題
三、高性能結(jié)構(gòu)材料技術(shù)主題
四、超大規(guī)模集成電路配套材料重大專項(xiàng)
五、納米材料與微機(jī)電系統(tǒng)專項(xiàng)（納米材料部分）
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主題和專項(xiàng)指南
一、光電子材料及器件技術(shù)主題
（一）指南說明
本主題的研究內(nèi)容主要集中在三個方面，即：（一）新型光電子材料及相關(guān)基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵設(shè)備和特種光電子器件技術(shù)；（二）通信用光電子材料、器件與集成技術(shù)；（三）面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件技術(shù)；本主題已經(jīng)于分別于2001年9月和2002年4月發(fā)布第一批和第二批課題申請指南，本指南為2003年度課題申請指南。
本主題將按照"有限目標(biāo)、突出重點(diǎn)、加強(qiáng)應(yīng)用、自主創(chuàng)新、跨越發(fā)展"的方針，圍繞國家發(fā)展目標(biāo)，提升我國在光電子材料與器件領(lǐng)域自主和持續(xù)創(chuàng)新能力，為光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。本次指南共分三大部分，第一部分為新型光電子材料和特種光電子器件技術(shù)，主要包括光電子基礎(chǔ)材料技術(shù)、新型半導(dǎo)體材料與光電子器件技術(shù)、光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計與性能預(yù)測研究。第二部分為通信用光電子材料、器件與集成技術(shù)，主要包括集成光電子芯片和模塊技術(shù)、通信光電子新材料與關(guān)鍵器件技術(shù)、新型通信光纖及特種光纖技術(shù)。第三部分為面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件技術(shù)。
本指南項(xiàng)目大體分為二類：A類為前沿探索研究，以技術(shù)創(chuàng)新和跨越為主要目標(biāo)。B類為面向產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用研究，以突破產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)為目標(biāo)，要求有研究、生產(chǎn)、應(yīng)用相結(jié)合的組織形式，對863經(jīng)費(fèi)要有產(chǎn)業(yè)資金匹配、具有可落實(shí)的自籌資金渠道和計劃、以及規(guī)模化生產(chǎn)的保障條件。
（二）指南內(nèi)容
1、新型光電子材料和特種光電子器件技術(shù)
（1）光電子基礎(chǔ)材料技術(shù)
研究目標(biāo)：突破光電子基礎(chǔ)材料制備技術(shù)和關(guān)鍵器件工藝技術(shù)，開發(fā)有自主知識產(chǎn)權(quán)的新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新材料，發(fā)展產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。
研究內(nèi)容：
1) 光子晶體光纖、光子晶體材料和器件（A類）；
2) 藍(lán)寶石基GaN器件規(guī)模化生產(chǎn)中的劃片技術(shù)（B類）；
3）全固態(tài)激光器用高損傷閾值光學(xué)鍍膜關(guān)鍵技術(shù)（B類）；
（2）新型半導(dǎo)體材料與光電子器件技術(shù)
研究目標(biāo)：重點(diǎn)研究新型半導(dǎo)體材料和低維量子結(jié)構(gòu)光電子器件技術(shù)。
研究內(nèi)容：
1) 面向光電子應(yīng)用的ZnO自組裝陣列結(jié)構(gòu)與器件技術(shù)（A類）；
2) InN材料及器件技術(shù)（A類）；
（3）光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計與性能預(yù)測研究(A類)
研究目標(biāo)：提出光電子新材料、新器件的構(gòu)思，為原始創(chuàng)新提供理論概念與設(shè)計
研究內(nèi)容：重點(diǎn)研究半導(dǎo)體量子點(diǎn)激光器中的應(yīng)力、溫場、電場分布及其與器件宏觀性能間的關(guān)系，半導(dǎo)體量子點(diǎn)激光器材料與器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計。
2、光通信、光傳感用光電子材料、器件與集成技術(shù)
（1）關(guān)鍵工藝創(chuàng)新研究與新型集成光電子器件
1) 基于III-V/Si wafer bonding技術(shù)的半導(dǎo)體激光器(A類)；
2) 新型WDM集成解復(fù)用光探測器和關(guān)鍵工藝研究(A類)：
（2） 通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù)
研究目標(biāo)：針對光纖通信的城域網(wǎng)以及光接入網(wǎng)系統(tǒng)的需要，重點(diǎn)進(jìn)行一批技術(shù)含量高、市場前景廣闊的目標(biāo)產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開發(fā)，迅速促進(jìn)相應(yīng)產(chǎn)品系列的形成和規(guī)模化生產(chǎn)，顯著提高我國通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競爭能力。繼續(xù)進(jìn)行新型通信光電子器件的創(chuàng)新性研究。
研究內(nèi)容及主要指標(biāo)：
1) 城域網(wǎng)、接入網(wǎng)用低成本、小型化光電子器件
10千兆以太網(wǎng)用小型化、熱插拔光收發(fā)器件及模塊(B類)；30Gb/s高速并行光接收模塊(B類)；無致冷Mini-DIL封裝的980 nm泵浦激光器(B類)；波分多址以太無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)光收發(fā)器件關(guān)鍵技術(shù)和目標(biāo)產(chǎn)品(A類)；基于MEMS技術(shù)的可調(diào)諧光濾波器(B類)；低成本DWDM系統(tǒng)光通道性能在線分析模塊(B類)；垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)(B類)；
2) 新型光電子器件與關(guān)鍵工藝和技術(shù)研究
新型高功率、高效率包層泵浦光纖激光器(A類)
（包括光纖激光器光纖光柵諧振腔設(shè)計與制作、新型增益光纖、光纖激光器波長調(diào)諧技術(shù)與穩(wěn)定等）。10-40Gb/s光電子芯片及集成器件測試關(guān)鍵技術(shù)(A類)；保偏光纖
(B類)新型通信光纖（S+C+L波段）(B類)。
3、面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件技術(shù)；
（1）1310/1550nm大功率超輻射發(fā)光二極管目標(biāo)產(chǎn)品與規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)(B類)；
（2）高性能TFT液晶材料和新型顯示驅(qū)動技術(shù)(B類)；
（3）高清晰度平板顯示器(PDP或OLED)用導(dǎo)電玻璃材料（B類）；
（4）高性能CCD/CMOS光電成像器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類）
（5）新型近場光存儲材料及其器件技術(shù)（A類）。
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京西苑飯店9號樓5931房間
通訊地址：北京市三里河路一號西苑飯店9號樓5931房間
郵政編碼：100044
聯(lián)系人：蘇小虎 潘一薇
聯(lián)系電話：010-68338926，010-68313388-5931
E-Mail：[email protected]，[email protected]
二、特種功能材料技術(shù)主題
（一）指南說明
在"十五"863計劃中，特種功能材料技術(shù)主題將本著"強(qiáng)調(diào)自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展"的精神，瞄著國際特種功能材料技術(shù)的發(fā)展前沿，結(jié)合我國經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會發(fā)展的需求，在生態(tài)環(huán)境材料、能量轉(zhuǎn)換和儲能材料、稀土功能材料、信息功能材料、生物醫(yī)用材料、催化材料與技術(shù)、分離膜材料等方面做出創(chuàng)新性的工作，同時建立相關(guān)的技術(shù)評價體系，為特種功能材料發(fā)展提供重要支撐。通過"十五"863計劃，發(fā)展具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的特種功能材料及相關(guān)的高技術(shù)，提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平，引導(dǎo)并促進(jìn)新興高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)群的形成。
本主題已經(jīng)分別于2001年9月和2002年4月發(fā)布了第一批和第二批課題申請指南，本指南為2003年度課題申請指南。
特種功能材料技術(shù)主題于2001年、2002年在生態(tài)環(huán)境材料、新型能量轉(zhuǎn)換和儲能材料、稀土功能材料、信息功能材料、生物醫(yī)用材料、催化材料與技術(shù)、分離膜材料、新概念特種功能材料及設(shè)計等方面安排了138個課題。2003年度課題申請指南將圍繞主題"十五"戰(zhàn)略總目標(biāo)，瞄準(zhǔn)世界特種功能材料技術(shù)發(fā)展的前沿，結(jié)合我國技術(shù)及資源優(yōu)勢，重點(diǎn)支持以下四方面具有原創(chuàng)性、尚未安排的課題：
生態(tài)環(huán)境材料
新型能量轉(zhuǎn)換和儲能材料
分離膜材料
新概念特種功能材料及設(shè)計
課題將采用擇優(yōu)的方式，選擇研究梯隊(duì)結(jié)構(gòu)合理、具有良好的工作基礎(chǔ)和科研開發(fā)條件的高等院校、研究機(jī)構(gòu)和高技術(shù)企業(yè)承擔(dān)課題。課題一旦確定，將按照"滾動支持、動態(tài)調(diào)整"的原則實(shí)施。
本指南課題大體分為兩類，一類為前沿探索研究類（A類），以技術(shù)創(chuàng)新和跨越為主要目標(biāo)。另一類為面向應(yīng)用研究類（B類），這類課題要求有研究、生產(chǎn)、應(yīng)用相結(jié)合的組織形式，應(yīng)以企業(yè)（用戶）為主申請或與企業(yè)（用戶）聯(lián)合申請。對863經(jīng)費(fèi)要有產(chǎn)業(yè)資金匹配，具有可落實(shí)的自籌資金渠道以及規(guī)模化生產(chǎn)的保障條件。B類課題申請要求提供專利查新報告及對策分析，并作為課題申請的必要條件。本年度課題將按類申請、評審和立項(xiàng)。
（二）指南內(nèi)容
(1) 生態(tài)環(huán)境材料
研究目標(biāo)
適應(yīng)可持續(xù)發(fā)展的循環(huán)型經(jīng)濟(jì)需求，為綠色、科技、人文奧運(yùn)和西部大開發(fā)服務(wù)，在減少廢棄物排放，提高原材料利用效率的新材料及技術(shù)方面取得有自主知識產(chǎn)權(quán)的新技術(shù)。
研究內(nèi)容：降低廢棄物排放及綜合利用的新型功能材料與技術(shù)（A/B類）。
(2) 新型能量轉(zhuǎn)換和儲能材料
研究目標(biāo)
探索新型能量轉(zhuǎn)換與儲能材料的集成與應(yīng)用技術(shù)，為我國新能源技術(shù)發(fā)展提供配套關(guān)鍵新材料并提升產(chǎn)業(yè)。
研究內(nèi)容：原創(chuàng)性、低成本的新型能量轉(zhuǎn)換與儲能材料及其集成與應(yīng)用技術(shù)（A/B類）。
（3） 分離膜材料
研究目標(biāo)
研制出具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的新型分離膜材料體系及其組件,在規(guī)模制備技術(shù)及其應(yīng)用方面取得突破。
研究內(nèi)容：滲透氣化膜材料及其應(yīng)用。（B類）
(4 )新概念特種功能材料及設(shè)計
研究目標(biāo)
瞄準(zhǔn)有原創(chuàng)可能的研究方向，重點(diǎn)支持若干具有前瞻性、前沿性和戰(zhàn)略性的新概念特種功能材料的研究，取得自主知識產(chǎn)權(quán)；支持一批創(chuàng)新性的特種功能材料制備、設(shè)計及應(yīng)用研究，突破相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)；利用特種功能材料及技術(shù)，在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造升級和西部資源開發(fā)上，取得創(chuàng)新。
研究內(nèi)容
1. 具有原創(chuàng)性的新型特種功能材料制備、設(shè)計及應(yīng)用技術(shù)。（A類）
2. 具有我國技術(shù)及資源比較優(yōu)勢的特種功能材料的制備及應(yīng)用技術(shù)。（A/B類）
3．促進(jìn)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和升級的新型特種功能材料及其應(yīng)用技術(shù)。（B類）
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京三里河路一號西苑飯店9號樓5928房間，郵編100044；
聯(lián)系人：蔣志君 欒桂卿
電 話：68313388-5928 68338919
E-Mail：[email protected]
三、高性能結(jié)構(gòu)材料技術(shù)主題
（一） 指南說明
高性能結(jié)構(gòu)材料是支撐交通運(yùn)輸、能源動力、資源環(huán)境、電子信息、農(nóng)業(yè)和建筑、航天航空、國防建設(shè)以及國家重大工程等領(lǐng)域的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，是目前國際上競爭最激烈的高技術(shù)新材料領(lǐng)域之一。高性能結(jié)構(gòu)材料的進(jìn)步對國家基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和國家安全的保障起著關(guān)鍵性的作用。
在2001-2002年已立項(xiàng)項(xiàng)目的基礎(chǔ)上, 高性能結(jié)構(gòu)材料技術(shù)主題本年度主要針對國家重大科技專項(xiàng)以及國家重大和重點(diǎn)工程建設(shè)以及對經(jīng)濟(jì)發(fā)展有影響的高新技術(shù)，發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能結(jié)構(gòu)材料及系統(tǒng)集成技術(shù)。
本主題的研究內(nèi)容主要分為以下3個方面：
高性能金屬材料及技術(shù)
陶瓷材料和建筑材料及技術(shù)
高性能低成本高分子材料及其復(fù)合材料技術(shù)
2003年度本主題擬安排的項(xiàng)目，優(yōu)先支持能夠?yàn)閲抑卮罂萍紝ｍ?xiàng)以及重大和重點(diǎn)工程提供技術(shù)支持、產(chǎn)學(xué)研緊密結(jié)合、應(yīng)用背景明確、可在"十五"末期能夠通過技術(shù)集成創(chuàng)新對重大科技專項(xiàng)和經(jīng)濟(jì)建設(shè)有較大推動作用、產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)效益的高新材料及其關(guān)鍵技術(shù)研究項(xiàng)目，并形成有重點(diǎn)發(fā)展目標(biāo)的項(xiàng)目集群。這里的國家重大科技專項(xiàng)以及國家重大和重點(diǎn)工程主要指電動汽車、磁懸浮、制造業(yè)重大裝備、燃?xì)廨啓C(jī)、奧運(yùn)工程、西部開發(fā)、現(xiàn)代軌道交通等在建(擬)建項(xiàng)目或者領(lǐng)域。
本年度大力倡導(dǎo)應(yīng)用－生產(chǎn)－研發(fā)緊密融合，鼓勵以企業(yè)（用戶）為主申請項(xiàng)目或與企業(yè)（用戶）聯(lián)合申請的運(yùn)行模式，并向有產(chǎn)業(yè)或者地方資金匹配，具有可落實(shí)的自籌資金渠道以及規(guī)模化生產(chǎn)保障條件的高技術(shù)申請項(xiàng)目予以傾斜。申請項(xiàng)目要求提供專利查新報告。項(xiàng)目均按3年期限申請立項(xiàng)，采用擇優(yōu)選擇的方式確定承擔(dān)單位，以"滾動支持、動態(tài)調(diào)整"的原則分階段實(shí)施。
（二）指南內(nèi)容
1、高性能金屬材料及技術(shù)
研究目標(biāo)：
充分發(fā)揮我國的資源優(yōu)勢和已有技術(shù)基礎(chǔ)，重點(diǎn)支持可在國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程中應(yīng)用的低成本高性能金屬材料及其服役性能等關(guān)鍵技術(shù)研究，開發(fā)高性能、高附加值產(chǎn)品，帶動產(chǎn)業(yè)技術(shù)的升級改造。
研究內(nèi)容：
鋼鐵材料(B類)
研究國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程急需的高性能、高附加值、低成本以及具有特定用途的結(jié)構(gòu)用鋼。
有色金屬及合金材料(B類)
發(fā)展民用的高性能有色金屬及合金材料的制備加工與應(yīng)用技術(shù)，優(yōu)先支持能夠在國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程中得到應(yīng)用的金屬合金及其復(fù)合材料。
2、陶瓷材料和建筑材料及技術(shù)
研究目標(biāo)：
針對國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程急需的低成本高性能陶瓷材料和建筑材料及其集成技術(shù)，研究制備和成形加工的關(guān)鍵技術(shù)與設(shè)備，大幅度提高材料的強(qiáng)度、功能和耐候性，發(fā)展低環(huán)境負(fù)擔(dān)、能源消耗和環(huán)保型建筑材料生產(chǎn)技術(shù)，提升相關(guān)行業(yè)的技術(shù)水平。
研究內(nèi)容：
陶瓷的高性能低成本制備、成形加工及其表征技術(shù)(B類)
發(fā)展量大面廣，可形成顯著經(jīng)濟(jì)效益的陶瓷材料的成形與燒結(jié)技術(shù)。
高性能低消耗的環(huán)保型建筑材料及技術(shù)(B類)
發(fā)展低環(huán)境負(fù)荷水泥制備關(guān)鍵技術(shù)和以節(jié)能環(huán)保為目的的回收技術(shù)；開發(fā)新型結(jié)構(gòu)－功能相結(jié)合的建筑材料和集成技術(shù)；發(fā)展用于大型交通路網(wǎng)的新型隔音減振材料。
3、高性能高分子材料及其復(fù)合材料技術(shù)
研究目標(biāo)：
圍繞國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程的需求，開展高分子及其復(fù)合材料高性能低成本相結(jié)合的先進(jìn)制備（合成）、成形加工和安全無毒阻燃新技術(shù)研究，制造性能優(yōu)異、環(huán)境友好、多功能化的高分子材料制品。
研究內(nèi)容：
高性能低成本高分子材料(B類)
研究高分子材料高品質(zhì)化的關(guān)鍵制備技術(shù)；開發(fā)滿足國家重大和重點(diǎn)工程需求、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的低成本高性能、安全無毒阻燃、阻尼降噪的高分子材料技術(shù)。
纖維增強(qiáng)樹脂基復(fù)合材料低成本制造技術(shù)(B類)
研究可應(yīng)用于國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程的高性能纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的低成本化技術(shù)；開發(fā)環(huán)境友好、多功能的復(fù)合材料體系及其制備技術(shù)。
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京三里河路一號西苑飯店9號樓5932房間，郵編100044；
聯(lián)系人：朱衍平、傅殿霞
聯(lián)系電話：010-68338921，010-68313388-5932
E-mail: [email protected], [email protected]
四、超大規(guī)模集成電路配套材料重大專項(xiàng)
（一）指南說明
科技部在"十五"國家863計劃中，特別設(shè)立微電子配套材料重大專項(xiàng)，選擇重點(diǎn)，堅持有所為，有所不為，以自主開發(fā)、突破關(guān)鍵技術(shù)和加強(qiáng)成果的產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)，在半導(dǎo)體硅材料、硅基材料、化合物材料、集成電路相關(guān)的電子化工材料、封裝材料等方面開展研究，為全面提高我國微電子配套材料技術(shù)水平和本地化能力、逐步建立起支撐我國半導(dǎo)體工業(yè)的先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)奠定基礎(chǔ)。
本專項(xiàng)將以0.13-0.10微米技術(shù)硅集成電路所需配套材料為主攻方向，加強(qiáng)自我創(chuàng)新，跟蹤世界發(fā)展趨勢，跨越式地有重點(diǎn)地進(jìn)行研究開發(fā)。同時，促進(jìn)0.18-0.25微米技術(shù)硅集成電路配套材料的生產(chǎn)發(fā)展，以企業(yè)為主體，產(chǎn)、學(xué)、研相結(jié)合，對市場用量大的微電子配套材料進(jìn)行工程化技術(shù)體系研究，形成專業(yè)化發(fā)展和規(guī)模化生產(chǎn)。通過本項(xiàng)目的實(shí)施以及國際間的交流與合作，培養(yǎng)造就一批國家急需的中青年科研技術(shù)骨干，以適應(yīng)微電子產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
主要任務(wù)：
a) 在引進(jìn)消化吸收基礎(chǔ)上，通過自主創(chuàng)新，突破0.13-0.10 μm技術(shù)集成電路所需12英寸硅片技術(shù)。
b) 以自主創(chuàng)新為主，使大直徑（5-8英寸）的SOI材料和鍺硅外延材料實(shí)用化技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
c) 開展6英寸半絕緣砷化鎵單晶的研發(fā)。
d) 以193nm光刻膠的研發(fā)為重點(diǎn)，使對集成電路技術(shù)升級和相關(guān)產(chǎn)業(yè)有重大帶動作用并關(guān)系國家安全、國外禁運(yùn)的關(guān)鍵化工及封裝材料制備技術(shù)達(dá)到當(dāng)時國際水平。
e) 同"重大技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)專項(xiàng)"相結(jié)合，建立半導(dǎo)體硅等關(guān)鍵材料工程化技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系。
f) 形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的專利60項(xiàng)以上，其中核心專利10項(xiàng)以上。
g) 國內(nèi)材料配套能力達(dá)到10-30%。
2002年本專項(xiàng)已啟動了以下幾方面的研究課題：
1、12英寸硅單晶拋光片制備技術(shù)研究
2、大直徑SOI材料
3、大直徑SiGe/Si外延材料
4、化合物半導(dǎo)體材料
5、ULSI光刻膠
6、ULSI超凈高純試劑
7、ULSI電路封裝用環(huán)氧封裝和聚酰亞胺制制備技術(shù)
8、封裝用引線框架材料
9、微電子配套材料評價及標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)
（二）指南內(nèi)容
1、新型光電子材料和特種光電子器件技術(shù)
（1）光電子基礎(chǔ)材料技術(shù)
研究目標(biāo)：突破光電子基礎(chǔ)材料制備技術(shù)和關(guān)鍵器件工藝技術(shù)，開發(fā)有自主知識產(chǎn)權(quán)的新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新材料，發(fā)展產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。
研究內(nèi)容：
1) 光子晶體光纖、光子晶體材料和器件（A類）；
2) 藍(lán)寶石基GaN器件規(guī)模化生產(chǎn)中的劃片技術(shù)（B類）；
3）全固態(tài)激光器用高損傷閾值光學(xué)鍍膜關(guān)鍵技術(shù)（B類）；
（2）新型半導(dǎo)體材料與光電子器件技術(shù)
研究目標(biāo)：重點(diǎn)研究新型半導(dǎo)體材料和低維量子結(jié)構(gòu)光電子器件技術(shù)。
研究內(nèi)容：
1) 面向光電子應(yīng)用的ZnO自組裝陣列結(jié)構(gòu)與器件技術(shù)（A類）；
2) InN材料及器件技術(shù)（A類）；
（3）光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計與性能預(yù)測研究(A類)
研究目標(biāo)：提出光電子新材料、新器件的構(gòu)思，為原始創(chuàng)新提供理論概念與設(shè)計
研究內(nèi)容：重點(diǎn)研究半導(dǎo)體量子點(diǎn)激光器中的應(yīng)力、溫場、電場分布及其與器件宏觀性能間的關(guān)系，半導(dǎo)體量子點(diǎn)激光器材料與器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計。
2、光通信、光傳感用光電子材料、器件與集成技術(shù)
（1）關(guān)鍵工藝創(chuàng)新研究與新型集成光電子器件
1) 基于III-V/Si wafer bonding技術(shù)的半導(dǎo)體激光器(A類)；
2) 新型WDM集成解復(fù)用光探測器和關(guān)鍵工藝研究(A類)：
（2） 通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù)
研究目標(biāo)：針對光纖通信的城域網(wǎng)以及光接入網(wǎng)系統(tǒng)的需要，重點(diǎn)進(jìn)行一批技術(shù)含量高、市場前景廣闊的目標(biāo)產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開發(fā)，迅速促進(jìn)相應(yīng)產(chǎn)品系列的形成和規(guī)模化生產(chǎn)，顯著提高我國通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競爭能力。繼續(xù)進(jìn)行新型通信光電子器件的創(chuàng)新性研究。
研究內(nèi)容及主要指標(biāo)：
1) 城域網(wǎng)、接入網(wǎng)用低成本、小型化光電子器件
10千兆以太網(wǎng)用小型化、熱插拔光收發(fā)器件及模塊(B類)；30Gb/s高速并行光接收模塊(B類)；無致冷Mini-DIL封裝的980 nm泵浦激光器(B類)；波分多址以太無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)光收發(fā)器件關(guān)鍵技術(shù)和目標(biāo)產(chǎn)品(A類)；基于MEMS技術(shù)的可調(diào)諧光濾波器(B類)；低成本DWDM系統(tǒng)光通道性能在線分析模塊(B類)；垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)(B類)；
2) 新型光電子器件與關(guān)鍵工藝和技術(shù)研究
新型高功率、高效率包層泵浦光纖激光器(A類)
（包括光纖激光器光纖光柵諧振腔設(shè)計與制作、新型增益光纖、光纖激光器波長調(diào)諧技術(shù)與穩(wěn)定等）。10-40Gb/s光電子芯片及集成器件測試關(guān)鍵技術(shù)(A類)；保偏光纖
(B類)新型通信光纖（S+C+L波段）(B類)。
3、面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件技術(shù)；
（1）1310/1550nm大功率超輻射發(fā)光二極管目標(biāo)產(chǎn)品與規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)(B類)；
（2）高性能TFT液晶材料和新型顯示驅(qū)動技術(shù)(B類)；
（3）高清晰度平板顯示器(PDP或OLED)用導(dǎo)電玻璃材料（B類）；
（4）高性能CCD/CMOS光電成像器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類）
（5）新型近場光存儲材料及其器件技術(shù)（A類）。
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京西苑飯店9號樓5931房間
通訊地址：北京市三里河路一號西苑飯店9號樓5931房間
郵政編碼：100044
聯(lián)系人：蘇小虎 潘一薇
聯(lián)系電話：010-68338926，010-68313388-5931
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二、特種功能材料技術(shù)主題
（一）指南說明
在"十五"863計劃中，特種功能材料技術(shù)主題將本著"強(qiáng)調(diào)自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展"的精神，瞄著國際特種功能材料技術(shù)的發(fā)展前沿，結(jié)合我國經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會發(fā)展的需求，在生態(tài)環(huán)境材料、能量轉(zhuǎn)換和儲能材料、稀土功能材料、信息功能材料、生物醫(yī)用材料、催化材料與技術(shù)、分離膜材料等方面做出創(chuàng)新性的工作，同時建立相關(guān)的技術(shù)評價體系，為特種功能材料發(fā)展提供重要支撐。通過"十五"863計劃，發(fā)展具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的特種功能材料及相關(guān)的高技術(shù)，提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平，引導(dǎo)并促進(jìn)新興高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)群的形成。
本主題已經(jīng)分別于2001年9月和2002年4月發(fā)布了第一批和第二批課題申請指南，本指南為2003年度課題申請指南。
特種功能材料技術(shù)主題于2001年、2002年在生態(tài)環(huán)境材料、新型能量轉(zhuǎn)換和儲能材料、稀土功能材料、信息功能材料、生物醫(yī)用材料、催化材料與技術(shù)、分離膜材料、新概念特種功能材料及設(shè)計等方面安排了138個課題。2003年度課題申請指南將圍繞主題"十五"戰(zhàn)略總目標(biāo)，瞄準(zhǔn)世界特種功能材料技術(shù)發(fā)展的前沿，結(jié)合我國技術(shù)及資源優(yōu)勢，重點(diǎn)支持以下四方面具有原創(chuàng)性、尚未安排的課題：
生態(tài)環(huán)境材料
新型能量轉(zhuǎn)換和儲能材料
分離膜材料
新概念特種功能材料及設(shè)計
課題將采用擇優(yōu)的方式，選擇研究梯隊(duì)結(jié)構(gòu)合理、具有良好的工作基礎(chǔ)和科研開發(fā)條件的高等院校、研究機(jī)構(gòu)和高技術(shù)企業(yè)承擔(dān)課題。課題一旦確定，將按照"滾動支持、動態(tài)調(diào)整"的原則實(shí)施。
本指南課題大體分為兩類，一類為前沿探索研究類（A類），以技術(shù)創(chuàng)新和跨越為主要目標(biāo)。另一類為面向應(yīng)用研究類（B類），這類課題要求有研究、生產(chǎn)、應(yīng)用相結(jié)合的組織形式，應(yīng)以企業(yè)（用戶）為主申請或與企業(yè)（用戶）聯(lián)合申請。對863經(jīng)費(fèi)要有產(chǎn)業(yè)資金匹配，具有可落實(shí)的自籌資金渠道以及規(guī)模化生產(chǎn)的保障條件。B類課題申請要求提供專利查新報告及對策分析，并作為課題申請的必要條件。本年度課題將按類申請、評審和立項(xiàng)。
（二）指南內(nèi)容
(1) 生態(tài)環(huán)境材料
研究目標(biāo)
適應(yīng)可持續(xù)發(fā)展的循環(huán)型經(jīng)濟(jì)需求，為綠色、科技、人文奧運(yùn)和西部大開發(fā)服務(wù)，在減少廢棄物排放，提高原材料利用效率的新材料及技術(shù)方面取得有自主知識產(chǎn)權(quán)的新技術(shù)。
研究內(nèi)容：降低廢棄物排放及綜合利用的新型功能材料與技術(shù)（A/B類）。
(2) 新型能量轉(zhuǎn)換和儲能材料
研究目標(biāo)
探索新型能量轉(zhuǎn)換與儲能材料的集成與應(yīng)用技術(shù)，為我國新能源技術(shù)發(fā)展提供配套關(guān)鍵新材料并提升產(chǎn)業(yè)。
研究內(nèi)容：原創(chuàng)性、低成本的新型能量轉(zhuǎn)換與儲能材料及其集成與應(yīng)用技術(shù)（A/B類）。
（3） 分離膜材料
研究目標(biāo)
研制出具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的新型分離膜材料體系及其組件,在規(guī)模制備技術(shù)及其應(yīng)用方面取得突破。
研究內(nèi)容：滲透氣化膜材料及其應(yīng)用。（B類）
(4 )新概念特種功能材料及設(shè)計
研究目標(biāo)
瞄準(zhǔn)有原創(chuàng)可能的研究方向，重點(diǎn)支持若干具有前瞻性、前沿性和戰(zhàn)略性的新概念特種功能材料的研究，取得自主知識產(chǎn)權(quán)；支持一批創(chuàng)新性的特種功能材料制備、設(shè)計及應(yīng)用研究，突破相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)；利用特種功能材料及技術(shù)，在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造升級和西部資源開發(fā)上，取得創(chuàng)新。
研究內(nèi)容
1. 具有原創(chuàng)性的新型特種功能材料制備、設(shè)計及應(yīng)用技術(shù)。（A類）
2. 具有我國技術(shù)及資源比較優(yōu)勢的特種功能材料的制備及應(yīng)用技術(shù)。（A/B類）
3．促進(jìn)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和升級的新型特種功能材料及其應(yīng)用技術(shù)。（B類）
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京三里河路一號西苑飯店9號樓5928房間，郵編100044；
聯(lián)系人：蔣志君 欒桂卿
電 話：68313388-5928 68338919
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三、高性能結(jié)構(gòu)材料技術(shù)主題
（一） 指南說明
高性能結(jié)構(gòu)材料是支撐交通運(yùn)輸、能源動力、資源環(huán)境、電子信息、農(nóng)業(yè)和建筑、航天航空、國防建設(shè)以及國家重大工程等領(lǐng)域的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，是目前國際上競爭最激烈的高技術(shù)新材料領(lǐng)域之一。高性能結(jié)構(gòu)材料的進(jìn)步對國家基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和國家安全的保障起著關(guān)鍵性的作用。
在2001-2002年已立項(xiàng)項(xiàng)目的基礎(chǔ)上, 高性能結(jié)構(gòu)材料技術(shù)主題本年度主要針對國家重大科技專項(xiàng)以及國家重大和重點(diǎn)工程建設(shè)以及對經(jīng)濟(jì)發(fā)展有影響的高新技術(shù)，發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能結(jié)構(gòu)材料及系統(tǒng)集成技術(shù)。
本主題的研究內(nèi)容主要分為以下3個方面：
高性能金屬材料及技術(shù)
高性能低成本高分子材料及其復(fù)合材料技術(shù)
2003年度本主題擬安排的項(xiàng)目，優(yōu)先支持能夠?yàn)閲抑卮罂萍紝ｍ?xiàng)以及重大和重點(diǎn)工程提供技術(shù)支持、產(chǎn)學(xué)研緊密結(jié)合、應(yīng)用背景明確、可在"十五"末期能夠通過技術(shù)集成創(chuàng)新對重大科技專項(xiàng)和經(jīng)濟(jì)建設(shè)有較大推動作用、產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)效益的高新材料及其關(guān)鍵技術(shù)研究項(xiàng)目，并形成有重點(diǎn)發(fā)展目標(biāo)的項(xiàng)目集群。這里的國家重大科技專項(xiàng)以及國家重大和重點(diǎn)工程主要指電動汽車、磁懸浮、制造業(yè)重大裝備、燃?xì)廨啓C(jī)、奧運(yùn)工程、西部開發(fā)、現(xiàn)代軌道交通等在建(擬)建項(xiàng)目或者領(lǐng)域。
本年度大力倡導(dǎo)應(yīng)用－生產(chǎn)－研發(fā)緊密融合，鼓勵以企業(yè)（用戶）為主申請項(xiàng)目或與企業(yè)（用戶）聯(lián)合申請的運(yùn)行模式，并向有產(chǎn)業(yè)或者地方資金匹配，具有可落實(shí)的自籌資金渠道以及規(guī)模化生產(chǎn)保障條件的高技術(shù)申請項(xiàng)目予以傾斜。申請項(xiàng)目要求提供專利查新報告。項(xiàng)目均按3年期限申請立項(xiàng)，采用擇優(yōu)選擇的方式確定承擔(dān)單位，以"滾動支持、動態(tài)調(diào)整"的原則分階段實(shí)施。
（二）指南內(nèi)容
1、高性能金屬材料及技術(shù)
研究目標(biāo)：
充分發(fā)揮我國的資源優(yōu)勢和已有技術(shù)基礎(chǔ)，重點(diǎn)支持可在國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程中應(yīng)用的低成本高性能金屬材料及其服役性能等關(guān)鍵技術(shù)研究，開發(fā)高性能、高附加值產(chǎn)品，帶動產(chǎn)業(yè)技術(shù)的升級改造。
研究內(nèi)容：
鋼鐵材料(B類)
研究國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程急需的高性能、高附加值、低成本以及具有特定用途的結(jié)構(gòu)用鋼。
有色金屬及合金材料(B類)
發(fā)展民用的高性能有色金屬及合金材料的制備加工與應(yīng)用技術(shù)，優(yōu)先支持能夠在國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程中得到應(yīng)用的金屬合金及其復(fù)合材料。
2、陶瓷材料和建筑材料及技術(shù)
研究目標(biāo)：
針對國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程急需的低成本高性能陶瓷材料和建筑材料及其集成技術(shù)，研究制備和成形加工的關(guān)鍵技術(shù)與設(shè)備，大幅度提高材料的強(qiáng)度、功能和耐候性，發(fā)展低環(huán)境負(fù)擔(dān)、能源消耗和環(huán)保型建筑材料生產(chǎn)技術(shù)，提升相關(guān)行業(yè)的技術(shù)水平。
研究內(nèi)容：
陶瓷的高性能低成本制備、成形加工及其表征技術(shù)(B類)
發(fā)展量大面廣，可形成顯著經(jīng)濟(jì)效益的陶瓷材料的成形與燒結(jié)技術(shù)。
高性能低消耗的環(huán)保型建筑材料及技術(shù)(B類)
發(fā)展低環(huán)境負(fù)荷水泥制備關(guān)鍵技術(shù)和以節(jié)能環(huán)保為目的的回收技術(shù)；開發(fā)新型結(jié)構(gòu)－功能相結(jié)合的建筑材料和集成技術(shù)；發(fā)展用于大型交通路網(wǎng)的新型隔音減振材料。
3、高性能高分子材料及其復(fù)合材料技術(shù)
研究目標(biāo)：
圍繞國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程的需求，開展高分子及其復(fù)合材料高性能低成本相結(jié)合的先進(jìn)制備（合成）、成形加工和安全無毒阻燃新技術(shù)研究，制造性能優(yōu)異、環(huán)境友好、多功能化的高分子材料制品。
研究內(nèi)容：
高性能低成本高分子材料(B類)
研究高分子材料高品質(zhì)化的關(guān)鍵制備技術(shù)；開發(fā)滿足國家重大和重點(diǎn)工程需求、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的低成本高性能、安全無毒阻燃、阻尼降噪的高分子材料技術(shù)。
纖維增強(qiáng)樹脂基復(fù)合材料低成本制造技術(shù)(B類)
研究可應(yīng)用于國家重大科技專項(xiàng)和國家重大和重點(diǎn)工程的高性能纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的低成本化技術(shù)；開發(fā)環(huán)境友好、多功能的復(fù)合材料體系及其制備技術(shù)。
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京三里河路一號西苑飯店9號樓5932房間，郵編100044；
聯(lián)系人：朱衍平、傅殿霞
聯(lián)系電話：010-68338921，010-68313388-5932
E-mail: [email protected], [email protected]
四、超大規(guī)模集成電路配套材料重大專項(xiàng)
（一）指南說明
科技部在"十五"國家863計劃中，特別設(shè)立微電子配套材料重大專項(xiàng)，選擇重點(diǎn)，堅持有所為，有所不為，以自主開發(fā)、突破關(guān)鍵技術(shù)和加強(qiáng)成果的產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)，在半導(dǎo)體硅材料、硅基材料、化合物材料、集成電路相關(guān)的電子化工材料、封裝材料等方面開展研究，為全面提高我國微電子配套材料技術(shù)水平和本地化能力、逐步建立起支撐我國半導(dǎo)體工業(yè)的先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)奠定基礎(chǔ)。
本專項(xiàng)將以0.13-0.10微米技術(shù)硅集成電路所需配套材料為主攻方向，加強(qiáng)自我創(chuàng)新，跟蹤世界發(fā)展趨勢，跨越式地有重點(diǎn)地進(jìn)行研究開發(fā)。同時，促進(jìn)0.18-0.25微米技術(shù)硅集成電路配套材料的生產(chǎn)發(fā)展，以企業(yè)為主體，產(chǎn)、學(xué)、研相結(jié)合，對市場用量大的微電子配套材料進(jìn)行工程化技術(shù)體系研究，形成專業(yè)化發(fā)展和規(guī)模化生產(chǎn)。通過本項(xiàng)目的實(shí)施以及國際間的交流與合作，培養(yǎng)造就一批國家急需的中青年科研技術(shù)骨干，以適應(yīng)微電子產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
主要任務(wù)：
a) 在引進(jìn)消化吸收基礎(chǔ)上，通過自主創(chuàng)新，突破0.13-0.10 μm技術(shù)集成電路所需12英寸硅片技術(shù)。
b) 以自主創(chuàng)新為主，使大直徑（5-8英寸）的SOI材料和鍺硅外延材料實(shí)用化技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
c) 開展6英寸半絕緣砷化鎵單晶的研發(fā)。
d) 以193nm光刻膠的研發(fā)為重點(diǎn)，使對集成電路技術(shù)升級和相關(guān)產(chǎn)業(yè)有重大帶動作用并關(guān)系國家安全、國外禁運(yùn)的關(guān)鍵化工及封裝材料制備技術(shù)達(dá)到當(dāng)時國際水平。
e) 同"重大技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)專項(xiàng)"相結(jié)合，建立半導(dǎo)體硅等關(guān)鍵材料工程化技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系。
f) 形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的專利60項(xiàng)以上，其中核心專利10項(xiàng)以上。
g) 國內(nèi)材料配套能力達(dá)到10-30%。
2002年本專項(xiàng)已啟動了以下幾方面的研究課題：
1、12英寸硅單晶拋光片制備技術(shù)研究
2、大直徑SOI材料
3、大直徑SiGe/Si外延材料
4、化合物半導(dǎo)體材料
5、ULSI光刻膠
6、ULSI超凈高純試劑
7、ULSI電路封裝用環(huán)氧封裝和聚酰亞胺制制備技術(shù)
8、封裝用引線框架材料
9、微電子配套材料評價及標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)
（二）指南內(nèi)容
1、先進(jìn)封裝及連接材料
研究適應(yīng)于BGA、CSP和用于芯片搭載封裝的COF，滿足環(huán)保、安全、健康標(biāo)準(zhǔn)要求的關(guān)鍵封裝材料。各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國外同類產(chǎn)品先進(jìn)水平，得到用戶使用認(rèn)可。
2、先進(jìn)包裝材料
研究12英寸硅單晶片包裝材料及片盒制備技術(shù)、各項(xiàng)指標(biāo)達(dá)到0.13-0.10微米技術(shù)硅片對包裝容器的要求；研究超凈高純試劑容器材料及容器制備技術(shù)和相應(yīng)的應(yīng)用測試與分析測試技術(shù)，各項(xiàng)指標(biāo)達(dá)到SEMI
C12 高純化學(xué)試劑對包裝材料的要求。
（三）有關(guān)事項(xiàng)
課題申請書及軟盤送交地址：北京市新街口外大街2號，郵編： 100088
聯(lián)系人：石瑛
電話： （010）62055383 傳真： （010）62015257
Email: [email protected]
五、納米材料與微機(jī)電系統(tǒng)專項(xiàng)（納米材料部分）
（一）指南說明
納米材料與微機(jī)電系統(tǒng)重大專項(xiàng)（納米材料部分）于2002年正式啟動。專項(xiàng)以市場、應(yīng)用和國家重大戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向，面向和促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化為重點(diǎn)，針對國際納米材料技術(shù)發(fā)展趨勢，并結(jié)合我國國情，已在有相對優(yōu)勢和戰(zhàn)略必爭的關(guān)鍵領(lǐng)域：納米信息材料及器件的集成技術(shù)、納米生物醫(yī)用材料、納米環(huán)境材料、納米能源材料、納米結(jié)構(gòu)材料、納米特種功能材料進(jìn)行了布局，批準(zhǔn)實(shí)施課題63項(xiàng)。根據(jù)我國納米技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r，結(jié)合國際上納米技術(shù)的前沿動態(tài)，本年度將在納米信息、生物醫(yī)學(xué)材料及相關(guān)應(yīng)用技術(shù)等幾個方面重點(diǎn)支持，力爭實(shí)現(xiàn)技術(shù)的跨越發(fā)展，使我國在納米技術(shù)領(lǐng)域的國際競爭中占據(jù)有利的戰(zhàn)略地位。
納米材料與微機(jī)電系統(tǒng)重大專項(xiàng)（納米材料部分）研究課題將采取擇優(yōu)的方式，課題的篩選將遵循以下原則:
（1） 納米結(jié)構(gòu)與納米效應(yīng)并重；
（2） 鼓勵原創(chuàng)性技術(shù)的研究和開發(fā)；
（3） 選擇有基礎(chǔ)的企業(yè)、高等院校和研究機(jī)構(gòu)承擔(dān)。
（二）指南內(nèi)容
重點(diǎn)研究方向:
（1）納米光電子和電子材料體系、器件構(gòu)造及集成技術(shù)；
（2）生物醫(yī)用器件、系統(tǒng)的納米材料及相關(guān)技術(shù)；
（3）原創(chuàng)性的并具有產(chǎn)業(yè)化前景的特種納米材料及技術(shù)。
（4）納米電子、納米生物醫(yī)學(xué)器件研發(fā)及規(guī)模化應(yīng)用必須的加工、檢測設(shè)備。
重點(diǎn)研究內(nèi)容：
（1） 納米光電子和電子材料體系、器件構(gòu)造及集成技術(shù)；
a. 新型納米電子和光電子器件用材料及其組裝技術(shù)；
b.用于納米電子器件的高介電材料和電子陶瓷材料；
c.超高密度信息存儲技術(shù)。
（2）生物醫(yī)用器件、系統(tǒng)的納米材料及相關(guān)技術(shù)
a．生物醫(yī)用納米傳感器；
b．用于重大疾病早期診斷的納米材料及器件；
c．醫(yī)學(xué)診斷與治療微系統(tǒng)用納米材料。
（3）原創(chuàng)性的并具有產(chǎn)業(yè)化前景的特種納米材料及技術(shù)
（4）納米電子、納米生物醫(yī)學(xué)器件研發(fā)及規(guī)模化應(yīng)用必須的加工、檢測設(shè)備
（三）有關(guān)事項(xiàng)
1、課題申請書及軟盤送交地址：北京三里河路一號西苑飯店9號樓5929房間納米專項(xiàng)辦公室，郵編100044；
聯(lián)系人：卞曙光，潘一薇，任紅軒；
聯(lián)系電話：010-68338941，010-68313388-5929；
E-mail: [email protected]，[email protected]，[email protected]。
2、課題申請書請登錄863計劃網(wǎng)站（www.863.org.cn）查閱和下載，本專項(xiàng)須在課題申請書的"三、課題情況"中增加"納米尺度效應(yīng)機(jī)理說明"的內(nèi)容，此條作為"三、課題情況"中的第"2"條，原"2-8"條順延為"3-9"條。