本發明屬于生物技術領域，涉及一種高頻的鵝觀草幼胚愈傷組織誘導和再生的培養方法。該方法主要步驟包括以鵝觀草未成熟種子為材料，消毒滅菌后剝離幼胚置于誘導培養基上培養獲得愈傷組織，在芽分化培養基中高頻誘導芽叢及在生根壯苗培養基獲得再生植株。在整個培養階段通過添加苯萊特能有效抑制內生真菌的生長。在誘導愈傷組織培養通過添加一定配比的2,4-D、Dicamba、6-BA可有效將愈傷組織的誘導率提高到75%以上。在分化培養到再生培養過程，通過改變植物生長調節劑濃度配比，芽誘導率達90%以上，植株再生率達85%以上。

1.一種高頻的鵝觀草幼胚愈傷組織誘導和再生的培養方法，其特征在于以鵝觀草未成熟種子剝取的長度100-200μm的幼胚為外植體，依次進行（1）外植體培養誘導愈傷組織；（2）愈傷組織誘導芽的分化和伸長；（3）生根壯苗獲得再生植株三個階段的培養；其中，階段（1）外植體培養誘導愈傷組織使用的培養基為以MS為基礎培養基，添加終濃度為5?mg/L的2,4-D，或終濃度為6?mg/L的麥草畏中的任意一種，并添加15mg/L苯萊特；階段（2）愈傷組織誘導芽的分化和伸長使用的培養基為以大量元素減半的MS為基礎培養基，添加終濃度為?2mg/L的激動素以及1mg/L的NAA，或者添加終濃度為?1mg/L的激動素以及1mg/L的萘乙酸NAA；階段（3）生根壯苗獲得再生植株使用的培養基是大量元素減半的MS培養基添加終濃度為1mg/L?的NAA，500?mg/L的活性炭以及500?mg/L的多效唑。2.根據權利要求1所述的高頻的鵝觀草幼胚愈傷組織誘導和再生的培養方法，其特征在于階段（1）外植體培養誘導愈傷組織的培養條件為黑暗培養，培養溫度為25℃+1℃，培養時間為28天。3.根據權利要求1所述的高頻的鵝觀草幼胚愈傷組織誘導和再生的培養方法，其特征在于階段（2）和階段（3）1500-2000勒克斯的光培養，光照時間為12h/d，整個培養過程，培養溫度為25℃+1℃，每培養28天換新鮮培養基。4.根據權利要求1所述的高頻的鵝觀草幼胚愈傷組織誘導和再生的培養方法，其特征在于階段（1）中誘導得到的愈傷組織接種于階段（2）的培養基中培養28天芽分化后用相同培養基進行一次繼代培養。