本發明公開了一種蓮瓣蘭的組織培養方法及其應用。本發明將蓮瓣蘭無菌苗莖尖為外植體，采用增殖培養基誘導根狀莖增殖，以LED作為組織培養光源，用藍光培育；接著將得到的根狀莖移至繼代生長培養基，誘導叢生芽生長和快速成苗，以LED作為組織培養光源，用紅光培育；將新生成苗接至接至生根培養基進行壯苗生根培養，以LED作為組織培養光源，用按比例2～4：6～8配比紅光混合藍光培育。本發明有效解決以往組織培養技術中存在的出芽率低，生長緩慢，生根難等問題；且使用LED燈具作為組織培養光源，有節省用電資源30?50％，降低了成本，并提高了工廠化生產的效率。

1.一種蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)將蓮瓣蘭無菌苗莖尖為外植體，采用增殖培養基誘導根狀莖增殖和叢生芽分化，培
養條件如下：以LED作為組織培養光源，藍光450～480nm，光強20～40μmo1·m^-2·s^-1，光周
期12～16h/d培養40～80天；增殖培養基的組成為：1/2MS培養基、6-BA 1.5～3.5mg/L、NAA
0.1～0.3mg/L、蔗糖10～30g/L、活性炭0.5～1g/L、瓊脂6～8g/L，pH＝5.6～5.8；
(2)將步驟(1)得到的根狀莖移至繼代生長培養基，誘導叢生芽生長和快速成苗，培養
條件如下：以LED作為組織培養光源，紅光630nm，光強20～40μmo1·m^-2·s^-1，光周期12～
16h/d培養30～60天；繼代生長培養基的組成為：1/2MS培養基、6-BA 0.1～1.0mg/L、NAA
0.1～0.3mg/L、蔗糖10～30g/L、活性炭0.5～1g/L、瓊脂6～8g/L，pH＝5.6～5.8；
(3)將新生成苗接至生根培養基進行壯苗生根培養，培養條件如下：以LED作為組織培
養光源，波長為630nm紅光和波長為450～480nm的藍光按比例2～4：6～8配比，光強30～60μ
mo1·m^-2·s^-1，光周期12～16h/d培養30～60天；生根培養基的組成為：1/2MS培養基、6-BA
0.1～0.3mg/L、NAA 0.2～0.5mg/L、蔗糖10～30g/L、活性炭0.5～1g/L、瓊脂6～8g/L，pH＝
5.6～5.8。
2.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(1)～(3)的培養是在
20～30℃、相對濕度為40～60％條件下進行。
3.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(1)中所述的增殖培
養基的組成為：1/2MS培養基、6-BA 2.5mg/L、NAA 0.3mg/L、蔗糖15g/L、活性炭0.5g/L、瓊脂
6～8g/L，pH＝5.6～5.8。
4.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(1)中所述的培養條
件為：以LED作為組織培養光源，藍光450～480nm，光強20μmo1·m^-2·s^-1，光周期16h/d培養
60天，環境溫度為24士1℃。
5.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(2)中所述的繼代生
長培養基的組成為：1/2MS培養基、6-BA 0.5mg/L、NAA 0.2mg/L、蔗糖20g/L、活性炭0.5g/L、
瓊脂6～8g/L，pH＝5.6～5.8。
6.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(2)中所述的培養條
件為：以LED作為組織培養光源，紅光630nm，光強20μmo1·m^-2·s^-1，光周期16h/d培養60天，
環境溫度為24士1℃，相對濕度50-60％。
7.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(3)中所述的生根培
養基的組成為：1/2MS培養基、6-BA 0.2mg/L、NAA 0.5mg/L、蔗糖20g/L、活性炭0.5g/L、瓊脂
6～8g/L，pH＝5.6～5.8。
8.根據權利要求1所述蓮瓣蘭的組織培養方法，其特征在于：步驟(3)中所述的培養條
件為：以LED作為組織培養光源，波長為630nm的紅光和波長為450～480nm的藍光按比例2：6
配比，光強40μmo1·m^-2·s^-1，光周期16h/d培養60天，環境溫度為24士1℃，相對濕度50-
60％。
9.權利要求1～8任一項所述蓮瓣蘭的組織培養方法在規模化培育蓮瓣蘭中的應用。