1.一種MOSFET被探測區探針數量計算方法，其特征是，包括以下步驟：
1)根據現有MOSFET產品被探測區的尺寸特點創建數據庫，所述被探測區是源區和柵
區；
2)設置探針與探針之間距離的最小值大于等于80um,探針與被探測區邊緣的距離大于
等于40um，當探針規格Iunit＝500mA時，探針針徑為d＝55±5um，當探針規格Iunit＝1A時，探
針針徑為d＝100±5um；
3)根據待測產品的測試電流，測試電壓，確定柵區探針的數量Ngate和源區探針的數量
Nsource；
Ngate值根據柵區的尺寸、探針之間距離以及探針與被探測區邊緣的距離確定，Ngate小于
等于2；
Nsource＝A+B+C；
A是源區施加電流和電壓的探針數量，Imax/Iunit＝A，Imax是被測產品的最大測試電流，
Iunit是探針材料的電流規格；
B是余量探針數量,當Iunit的規格為500mA時，余量探針數為2；當Iunit的規格為1A時，余
量探針數為1；
C是感應電流和電壓的探針數量；
如果源區施加電流和電壓的探針數量A小于等于2，感應電流和電壓的探針數量C為1；
如果源區施加電流和電壓的探針數量A大于2小于等于8，感應電流和電壓的探針數量C
為2；
如果源區施加電流和電壓的探針數量A大于8小于等于20，感應電流和電壓的探針數量
C為4；
柵區探針的數量Ngate采用以下方式確定：
條件1)柵區兩對角點之間的水平方向的距離小于水平方向所有探針的內徑和以及針
與針的間距和兩個邊界值的總和；
條件2)柵區兩對角點之間的垂直方向的距離小于垂直方向所有針的內徑和以及針與
針的間距和左右兩個邊界值的總和；
條件3)柵區兩對角點之間的對角線方向的距離小于對角線方向所有針的內徑和以及
針與針的間距和兩個邊界值的總和；
如果上述條件1)～3)同時滿足，則Ngate值需為1，否則Ngate值需為2。
2.一種MOSFET被探測區探針位置設計方法，包括權利要求1所述方法的各步驟，其特征
是，還包括以下步驟：
以下各步驟所有坐標均為同一坐標系下建立；
4)如果源區和柵區為方形，獲取源區和柵區對角四點的坐標以及Ngate和Nsource值，將
Nsource值分解因式得到X軸向探針數量Xsource值和Y軸向探針數量Ysource值；
柵區的坐標獲取方法及柵區探針位置確定采用以下方式：
條件1)柵區兩對角點之間的水平方向的距離小于水平方向所有探針的內徑和以及針
與針的間距和兩個邊界值的總和，A點、B點為柵區兩對角點；
條件2)柵區兩對角點之間的垂直方向的距離小于垂直方向所有針的內徑和以及針與
針的間距和左右兩個邊界值的總和；
條件3)柵區兩對角點之間的對角線方向的距離小于對角線方向所有針的內徑和以及
針與針的間距和兩個邊界值的總和；
如果上述條件1)～3)同時滿足，則Ngate值需為1，柵區的探針位置即為柵區中心點；
如果條件1)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區垂直邊的中點處沿水平方向將柵區
三等分，第一等分點為第一點坐標，第二等分點為第二坐標；
如果條件2)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區水平邊的中點處沿垂直方向將柵區
三等分，第一等分點為第一探針的坐標，第二等分點為第二探針的坐標；
如果條件3)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區沿對角線方向將柵區三等分，第一等
分點為第一探針的坐標，第二等分點為第二探針的坐標；
源區的坐標獲取方法及源區探針位置確定采用以下方式：
條件4)源區兩對角點之間垂直方向的距離大于Ysource根探針內徑和以及針與針的間距
和左右兩個邊界值的總和；
條件5)源區兩對角點之間水平方向的距離大于Xsource根探針內徑和以及針與針的間距
和左右兩個邊界值的總和；
如果滿足條件4)和5)條件，則將源區水平方向做Xsource+1等分，垂直方向做Ysource+1等
分，垂直方向和水平方向的等分線相交的點即為源區探針所在位置；
如果同時不滿足條件4)和5)，則Xsource＝Xsource-1，Ysource＝Ysource-1,將運算后的Xsource
和Ysource的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區的探針位置坐標；
如果不滿足條件4)，滿足條件5)，則Ysource＝Ysource-1，Xsource不變，將運算后的Xsource和
Ysource的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區的探針位置坐標；
如果滿足條件4)，不滿足條件5)，則Xsource＝Xsource-1，Ysource不變，將運算后的Xsource和
Ysource的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區的探針位置坐標；
5)如果源區和柵區為圓形：
柵區為圓形，輸入柵區中心點的坐標，以及柵區半徑，結合Ngate，首先判定條件6)；
條件6)圓形區域直徑是否小于最小的尺寸要求，即柵區內徑尺寸僅夠一根針的情況，
如果滿足，則報出錯信息，無法支持探針布局設計；
如果條件6)不滿足，則判定條件7)柵區圓形區域直徑是否小于Ngate根探針內徑和以及
針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；
如果條件7)滿足，則報出錯信息，Ngate值為1，此時柵區的探針位置即為柵區圓心位置；
如果條件7)不滿足，沿柵區圓直徑的垂直方向或者水平方向將內徑做Ngate+1等分，第一
等分點為第一根探針的坐標位置，第二等分點為第二根探針的坐標位置；
源區形狀為圓形，輸入源區中心點的坐標，以及源區半徑，結合Nsource值首先判定條件
條件8)；
條件8)源區圓形區域直徑是否小于最小的尺寸要求，即源區內徑尺寸僅夠一根針的情
況，如果滿足，則報出錯信息，無法支持探針布局設計；
如果條件8)不滿足，則判定條件9)源區圓形區域直徑是否小于Nsource根探針內徑和以
及針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；
如果條件8)滿足，則報出錯信息，Nsource值調整為Nsource-1，重新判定條件8)，如果條件
8)不滿足，則說明源區可以支持Nsource根針的布局方案，沿源區圓直徑的垂直方向或者水平
方向將內直徑做Nsource+1等分，第一等分點為第一根探針的坐標位置，第二等分點為第二根
探針的坐標位置，依此類推，直至完成Nsource根探針的布局。
3.一種MOSFET被探測區探針卡生成方法，包括權利要求2的所有步驟，其特征是，還包
括以下步驟：
6)利用VB宏語言的圖表功能生成探針坐標版圖。
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