本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N納米探針的制備方法，包括：步驟（1），對(duì)硅基或者碳化硅基探針進(jìn)行表面清潔處理，并在除針尖之外的部分設(shè)置遮擋；步驟（2），在所述硅基或者碳化硅基探針表面通過真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)蒸鍍或者通過磁控濺射技術(shù)濺射納米粒度的貴金屬薄膜、貴金屬合金薄膜或者貴金屬疊層，并去除所述遮擋；步驟（3），在針尖上增強(qiáng)拉曼光譜TERS設(shè)備上應(yīng)用制得的納米探針進(jìn)行TERS實(shí)驗(yàn)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果統(tǒng)計(jì)所述納米探針的增強(qiáng)性質(zhì)與制備工藝參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系；步驟（4），根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系調(diào)整所述制備工藝參數(shù)，重復(fù)步驟（1）-（4），直到得到滿足預(yù)設(shè)增強(qiáng)條件的納米探針。

1.一種納米探針的制備方法，其特征在于，包括：
步驟(1)，對(duì)硅基或者碳化硅基探針進(jìn)行表面清潔處理，并在
除針尖之外的部分設(shè)置遮擋；
步驟(2)，在所述硅基或者碳化硅基探針表面通過真空蒸發(fā)鍍
膜技術(shù)蒸鍍或者通過磁控濺射技術(shù)濺射納米粒度的貴金屬薄膜、貴金
屬合金薄膜或者貴金屬疊層，并去除所述遮擋；
步驟(3)，在針尖上增強(qiáng)拉曼光譜TERS設(shè)備上應(yīng)用制得的納
米探針進(jìn)行TERS實(shí)驗(yàn)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果統(tǒng)計(jì)所述納米探針的增強(qiáng)性質(zhì)
與制備工藝參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系；
步驟(4)，根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系調(diào)整所述制備工藝參數(shù)，重復(fù)步
驟(1)-(4)，直到得到滿足預(yù)設(shè)增強(qiáng)條件的納米探針。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在除針尖之外的部
分設(shè)置遮擋包括：在所述除針尖之外的部分涂覆蠟層、聚乙烯有機(jī)涂
層或者粘貼遮擋層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過真空蒸發(fā)
鍍膜技術(shù)蒸鍍或者通過磁控濺射技術(shù)濺射納米粒度的貴金屬合金薄膜
包括：
設(shè)置摩爾比例為1:1至1:3的金銀靶材，使用所述金銀靶材設(shè)置
所述貴金屬合金薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過真空蒸發(fā)
鍍膜技術(shù)蒸鍍或者通過磁控濺射技術(shù)濺射納米粒度的貴金屬疊層包
括：
同時(shí)設(shè)置兩個(gè)以上貴金屬靶材，交替使用所述兩個(gè)以上貴金屬靶
材進(jìn)行蒸鍍或?yàn)R射得到貴金屬疊層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述兩個(gè)以上貴金
屬靶材包括金和銀靶材，按照銀、金、銀靶材的順序進(jìn)行蒸鍍或?yàn)R射
得到銀-金-銀疊層。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟(2)
之前還包括：
在所述硅基或者碳化硅基探針與貴金屬靶材之間設(shè)置貴金屬網(wǎng)，
越靠近針尖的位置所述貴金屬網(wǎng)的網(wǎng)孔的密度越小。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述貴金屬網(wǎng)包括
與所述硅基或者碳化硅基探針的針尖成比例放大的結(jié)構(gòu)，所述硅基或
者碳化硅基探針的針尖容納在所述貴金屬網(wǎng)內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟(2)
之前還包括：加熱所述硅基或者碳化硅基探針。
9.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟(1)
包括：使用有機(jī)溶劑洗滌所述硅基或者碳化硅基探針表面，或者使用
砂紙打磨所述硅基或者碳化硅基探針表面；或者分別使用去離子水-
無水乙醇-丙酮-無水乙醇-去離子水對(duì)所述硅基或者碳化硅基探針表面
超聲清洗五分鐘，然后對(duì)清洗后的所述硅基或者碳化硅基探針進(jìn)行真
空干燥處理。