本發(fā)明提供了一種基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置。它包括參比電極、產(chǎn)生電極、收集電極以及對電極，所述產(chǎn)生電極和收集電極之間的距離小于等于100微米，它還設(shè)有檢測收集電極上的電極動力學(xué)參數(shù)的雙電極恒電流電位儀。本發(fā)明還提供了一種基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置的細(xì)胞生長檢測方法，它通過間隔一定時間測量收集電極上的電流或電化學(xué)反應(yīng)阻抗，并對比所測數(shù)據(jù)得到測量結(jié)果。本發(fā)明還提供一種基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置的細(xì)胞形態(tài)變化檢測方法。它通過測量和對比加入影響細(xì)胞生長和形態(tài)變化的試劑前后的收集電極上的電流或電化學(xué)反應(yīng)阻抗得到該試劑對細(xì)胞生長以及形態(tài)變化的影響結(jié)果。本發(fā)明所提供的檢測裝置和檢測方法具有更高的靈敏度。

1.一種基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置，其特征在于
它包括參比電極、產(chǎn)生電極、收集電極以及對電極，所述產(chǎn)生電極和收集電極之
間的距離在大于等于80納米至小于等于100微米之間，它還設(shè)有檢測收集電極
上的電極動力學(xué)參數(shù)的雙電極恒電流電位儀。
2.基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置的細(xì)胞生長檢測方
法，其特征在于所述檢測方法采用如權(quán)利要求1所述的基于氧化/還原探針的細(xì)
胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置，并間隔一定時間分別進(jìn)行以下操作：以參比電極
為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極上施加一氧化電壓，收集電極上施加一還原電壓，然
后測量流經(jīng)收集電極上的電流；在上述操作結(jié)束后對比收集電極上的電流得到測
量結(jié)果；
或間隔一定時間分別進(jìn)行以下操作：以參比電極為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極
上施加一還原電壓，收集電極上施加一氧化電壓，然后測量流經(jīng)收集電極上的電
流；在上述操作結(jié)束后對比收集電極上的電流得到測量結(jié)果。
3.基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置的細(xì)胞生長檢測方
法，其特征在于所述檢測方法采用如權(quán)利要求1所述的基于氧化/還原探針的細(xì)
胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置，并間隔一定時間分別進(jìn)行以下操作：以參比電極
為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極上施加一氧化電壓，收集電極上施加一還原電壓，然
后再疊加一幅度較小的交流電壓，然后測量產(chǎn)生電極和收集電極上的電化學(xué)反應(yīng)
阻抗；在上述操作結(jié)束后對比收集電極上的電化學(xué)反應(yīng)阻抗得到測量結(jié)果；
或間隔一定時間分別進(jìn)行以下操作：以參比電極為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極
上施加一還原電壓，收集電極上施加一氧化電壓，然后再疊加一幅度較小的交流
電壓，然后測量收集電極上的電化學(xué)反應(yīng)阻抗；在上述操作結(jié)束后對比收集電極
上的電化學(xué)反應(yīng)阻抗到測量結(jié)果。
4.基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置的細(xì)胞形態(tài)變化檢
測方法，其特征在于所述檢測方法采用如權(quán)利要求1所述的基于氧化/還原探針
的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置，并在向細(xì)胞溶液加入影響細(xì)胞生長和形態(tài)變
化的試劑前后分別進(jìn)行以下操作：以參比電極為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極上施加
一氧化電壓，收集電極上施加一還原電壓，然后測量流經(jīng)收集電極上的電流；在
上述操作結(jié)束后對比收集電極上的電流得到該試劑對細(xì)胞生長和形態(tài)變化的影
響結(jié)果；
或在向細(xì)胞溶液中加入影響細(xì)胞生長和形態(tài)變化的試劑前后分別進(jìn)行以下
操作：以參比電極為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極上施加一還原電壓，收集電極上施
加一氧化電壓，然后測量流經(jīng)收集電極上的電流；在上述操作結(jié)束后對比收集電
極上的電流得到該試劑對細(xì)胞生長和形態(tài)變化的影響結(jié)果。
5.基于氧化/還原探針的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置的細(xì)胞形態(tài)變化檢
測方法，其特征在于所述檢測方法采用如權(quán)利要求1所述的基于氧化/還原探針
的細(xì)胞生長以及形態(tài)變化檢測裝置，并在向細(xì)胞溶液中加入影響細(xì)胞生長和形態(tài)
變化的試劑前后分別進(jìn)行以下操作：以參比電極為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極上施
加一氧化電壓，收集電極上施加一還原電壓，然后再疊加一幅度較小的交流電壓，
然后測量收集電極上的電化學(xué)反應(yīng)阻抗；在上述操作結(jié)束后對比收集電極上的電
化學(xué)反應(yīng)阻抗得到該試劑對細(xì)胞生長和形態(tài)變化的影響結(jié)果；
或在向細(xì)胞溶液中加入影響細(xì)胞生長和形態(tài)變化的試劑前后分別進(jìn)行以下
操作：以參比電極為電位參考點(diǎn)，在產(chǎn)生電極上施加一還原電壓，收集電極上施
加一氧化電壓，然后再疊加一幅度較小的交流電壓，然后測量收集電極上的電化
學(xué)反應(yīng)阻抗；在上述操作結(jié)束后對比收集電極上的電化學(xué)反應(yīng)阻抗得到該試劑對
細(xì)胞生長和形態(tài)變化的影響結(jié)果。