1.一種晶圓測試系統，其特征在于，包括：
探針卡和探針打磨裝置；
晶圓測試機，所述晶圓測試機包括控制單元；
所述探針卡接收所述晶圓測試機發出的測試信號，對晶圓中的待測芯片
進行測試，測試后將測試結果反饋給所述晶圓測試機，所述測試結果包括待
測芯片的源漏正向導通壓降VFSD待測；
當連續出現源漏正向導通壓降VFSD待測高于或低于源漏正向導通的標準
壓降VFSD標準時，停止測試，所述控制單元控制所述探針打磨裝置對所述探
針卡進行打磨；打磨后，進行下一個待測芯片的測試。
2.如權利要求1所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述晶圓測試機還包括
比較單元；
所述比較單元將所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準與源漏正向導通
壓降VFSD待測進行比較，輸出比較信號；
所述控制單元，獲取并記錄所述比較信號，當連續出現源漏正向導通壓
降VFSD待測高于或低于源漏正向導通的標準壓降VFSD標準的比較信號時，輸
出控制信號，控制所述探針打磨裝置對所述探針卡進行打磨。
3.如權利要求2所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述晶圓測試機還包括
存儲單元，存儲所述探針卡測試的源漏正向導通壓降VFSD待測和所述源漏
正向導通的標準壓降VFSD標準；
所述控制單元還包括：讀取單元，從所述存儲單元中讀取所述源漏正向
導通壓降VFSD待測和所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準；
所述比較單元從所述讀取單元獲取源漏正向導通壓降VFSD待測和所述源
漏正向導通的標準壓降VFSD標準后，比較源漏正向導通壓降VFSD待測與所述
源漏正向導通的標準壓降VFSD標準。
4.如權利要求1所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述探針打磨裝置包括
砂紙。
5.如權利要求1所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述連續出現源漏正向
導通壓降VFSD待測高于或低于源漏正向導通的標準壓降VFSD標準的待測芯
片的數目范圍為：占晶圓中所有芯片數目的2％～4％。
6.如權利要求1所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述源漏正向導通壓降
VFSD待測高于或低于所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準，包括范圍：
高于或低于源漏正向導通的標準壓降VFSD標準的3％。
7.如權利要求1所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述晶圓測試機還包括
輸入單元和顯示單元；
所述輸入單元用于輸入測試參數，所述晶圓測試機根據所述測試參數向
所述探針卡發出測試信號；
所述顯示單元用于顯示所述測試結果。
8.如權利要求7所述的晶圓測試系統，其特征在于，所述測試參數包括：所
述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準、源漏擊穿電壓和規定漏電壓與漏電
流之間的比值。
9.一種晶圓測試方法，其特征在于，包括：
提供晶圓，所述晶圓中包括若干待測芯片；
向探針卡發出測試信號，所述探針卡接收所述測試信號對晶圓中的若干
待測芯片依次進行測試；
對每一個待測芯片測試后，輸出測試結果，所述測試結果包括待測芯片
的源漏正向導通壓降VFSD待測；
當連續出現源漏正向導通壓降VFSD待測高于或低于源漏正向導通的標準
壓降VFSD標準時，停止測試，對所述探針卡進行打磨；打磨完成后，繼續對
待測芯片進行測試。
10.如權利要求9所述的測試方法，其特征在于，還包括：將所述源漏正向導
通的標準壓降VFSD標準與源漏正向導通壓降VFSD待測進行比較，輸出比較
信號；
獲取并記錄所述比較信號，當連續出現源漏正向導通壓降VFSD待測高于
或低于所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準的比較信號時，對所述探針卡
進行打磨。
11.如權利要求10所述的測試方法，其特征在于，還包括，存儲所述源漏正向
導通的標準壓降VFSD標準；每完成一次測試，將所述源漏正向導通的標準
壓降VFSD標準與源漏正向導通壓降VFSD待測進行比較之前，還包括：存儲
所述探針卡測試的源漏正向導通壓降VFSD待測；
獲取存儲的所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準和源漏正向導通壓降
VFSD待測之后，將所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準與源漏正向導通壓降
VFSD待測進行比較。
12.如權利要求9所述的測試方法，其特征在于，所述連續出現源漏正向導通
壓降VFSD待測高于或低于源漏正向導通的標準壓降VFSD標準的待測芯片的
數目范圍為：占晶圓中所有芯片總數目的2％～4％。
13.如權利要求9所述的測試方法，其特征在于，所述源漏正向導通壓降VFSD
待測高于或低于所述源漏正向導通的標準壓降VFSD標準，包括范圍：高于或
低于源漏正向導通的標準壓降VFSD標準的3％。
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