一種半導體器件包含半導體襯底(1，12)、在襯底的頂部上的絕緣層(8)、橫向場效應晶體管，此橫向場效應晶體管包含設置在襯底中的漏區(qū)(2)和源區(qū)(3)以及設置在襯底上絕緣層內(nèi)的柵極(4)、設置在漏區(qū)上方絕緣體層頂部上的漏極導板(29)、設置在源區(qū)上方絕緣體層頂部上的源極導板(25)、設置在由漏極導板和源極導板所限定的區(qū)域外面絕緣體層頂部上的柵極導板(20)、第一耦接結構，此第一耦接結構包含用來耦接漏極導板與漏區(qū)的通孔(2+)、以及第二耦接結構，此第二耦接結構包含用來耦接源極導板與源區(qū)的通孔(23)。

1.一種半導體器件，包含：
-半導體襯底，
-在所述襯底的頂部上的絕緣體層，
-橫向場效應晶體管，此橫向場效應晶體管包含設置在所述襯底
中的漏區(qū)和源區(qū)以及設置在所述襯底上所述絕緣體層內(nèi)的柵極，
-設置在所述漏區(qū)上方絕緣體層頂部上的漏極導板，
-設置在所述源區(qū)上方絕緣體層頂部上的源極導板，
-設置在由所述漏極導板和所述源極導板限定的區(qū)域外面絕緣體
層頂部上的柵極導板，
-第一耦接結構，此第一耦接結構包含用來耦接所述漏極導板與
所述漏區(qū)的通孔，
-第二耦接結構，此第二耦接結構包含用來耦接所述源極導板與
所述源區(qū)的通孔，
在所述源區(qū)內(nèi)的位于所述源極導板下方從所述襯底的頂部到達
所述襯底的底部的襯底通孔，以及
設置在所述襯底的底部表面上的背面金屬層以及在所述襯底通
孔與所述背面金屬層之間的勢壘金屬層。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一和第二耦
接結構還包含設置在所述通孔的底部處的勢壘金屬層。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一和第二耦
接結構還包含設置在所述通孔的頂部處的勢壘金屬層。
4.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述底部處的勢壘
金屬層具有環(huán)繞所述通孔的托盤的截面輪廓。
5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述底部處的勢壘
金屬層包含包圍所述通孔的側壁。
6.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述底部處的勢壘
金屬層包含與所述通孔間隔開的側壁。
7.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述底部處的勢壘
金屬層由鈦-氮化鈦構成。
8.如權利要求3所述的半導體器件，其中，所述頂部處的勢壘
金屬層由鈦-鉑構成。
9.如權利要求1所述的半導體器件，其中，通孔包含鎢。
10.如權利要求1所述的半導體器件，還包含環(huán)繞所述源區(qū)的阱
結構。
11.如權利要求1所述的半導體器件，其中，用鎢或銅來填充所
述襯底通孔。
12.如權利要求11所述的半導體器件，還包含環(huán)繞所述源區(qū)的
阱結構。
13.如權利要求2所述的半導體器件，其中，源區(qū)與通孔之間的
所述勢壘金屬層以其至少部分地覆蓋所述柵極的方式延伸以形成場
板。
14.如權利要求13所述的半導體器件，其中，場板覆蓋柵極的
部分頂部表面以及面對漏極導板的柵極的側。
15.如權利要求14所述的半導體器件，其中，場板在單個位置
處與勢壘金屬層耦接。
16.如權利要求13所述的半導體器件，其中，場板從勢壘金屬
層延伸，以便覆蓋柵極的部分左、頂和右側。
17.如權利要求1所述的半導體器件，其中，第一耦接結構包含
多個通孔。
18.如權利要求1所述的半導體器件，其中，第二耦接結構包含
多個通孔。
19.如權利要求13所述的半導體器件，其中，場板包含至少一
個開孔區(qū)。
20.如權利要求1所述的半導體器件，其中，襯底包含p⁺襯底和
p-外延層。
21.一種制作半導體器件的方法，包含下列步驟：
-提供包含橫向場效應晶體管的襯底，此橫向場效應晶體管包含
設置在所述襯底中的漏區(qū)和源區(qū)，
-在所述襯底的頂部上淀積第一絕緣層，
-在所述漏和源區(qū)的頂部上分別形成至少一個窗口結構，
-在所述窗口結構內(nèi)淀積勢壘金屬層，
-在所述襯底的頂部上淀積第二絕緣層，
-在所述勢壘金屬層的頂部上所述絕緣層內(nèi)形成通孔，
-用金屬填充所述通孔，
-對表面進行平面化，
-在所述表面上所述通孔上方淀積導板結構，
所述方法還包含步驟：在淀積所述勢壘金屬層之前，在所述源區(qū)
內(nèi)形成從所述襯底的頂部到達所述襯底的底部的襯底通孔。
22.如權利要求21所述的方法，還包含下述步驟：在淀積所述
導板之前，在所述通孔的頂部上淀積第二勢壘金屬層。
23.如權利要求21所述的方法，其中，所述勢壘金屬層通過與
所述窗口的邊緣重疊而具有托盤的截面輪廓。
24.如權利要求21所述的方法，其中，勢壘金屬層由鈦-氮化鈦
構成。
25.如權利要求22所述的方法，其中，第二勢壘金屬層由鈦-鉑
構成。
26.如權利要求21所述的方法，其中，用鎢來填充通孔。
27.如權利要求21所述的方法，其中，用銅來填充所述襯底通
孔。
28.如權利要求21所述的方法，其中，勢壘金屬層延伸，以便
至少部分地覆蓋形成在淀積于所述勢壘金屬層上的絕緣層內(nèi)的柵極。
29.如權利要求21所述的方法，其中，襯底包含p⁺襯底和p-外
延層。
30.一種半導體器件，包含：
-半導體襯底，
-在所述襯底的頂部上的絕緣體層，
-橫向場效應晶體管，此橫向場效應晶體管包含設置在所述襯底
中的漏區(qū)和源區(qū)以及設置在所述襯底上所述絕緣體層內(nèi)的柵極，
-設置在所述漏區(qū)上方所述絕緣體層頂部上的漏極導板，
-設置在所述源區(qū)上方所述絕緣體層頂部上的源極導板，
-設置在由所述漏極導板和所述源極導板所限定的區(qū)域外面所
述絕緣體層頂部上的柵極導板，
-第一耦接結構，此第一耦接結構包含用來耦接所述漏極導板與
所述漏區(qū)的通孔，
-第二耦接結構，此第二耦接結構包含用來耦接所述源極導板與
所述源區(qū)的通孔，
-其中，所述第一和第二耦接結構還包含設置在所述通孔的頂部
和底部處的勢壘金屬層，
-在所述源區(qū)內(nèi)的位于所述源極導板下方從所述襯底的頂部到
達所述襯底的底部的用金屬填充的襯底通孔，以及
-設置在所述襯底的底部表面上的背面金屬層和所述用金屬填
充的襯底通孔與所述背面金屬層之間的勢壘金屬層。
31.如權利要求30所述的半導體器件，其中，源區(qū)與通孔之間
的所述勢壘金屬層以其至少部分地覆蓋所述柵極的方式延伸以形成
場板。
32.如權利要求30所述的半導體器件，其中，襯底包含p⁺襯底
和p-外延層。
33.一種半導體器件，包含：
-半導體襯底，
-在所述襯底的頂部上的絕緣體層，
-背面金屬層，
-橫向場效應晶體管，此橫向場效應晶體管包含設置在所述襯底
中的漏區(qū)和源區(qū)以及設置在所述襯底上所述絕緣體層內(nèi)的柵極，
-設置在所述漏區(qū)上方所述絕緣體層頂部上的漏極導板，
-設置在所述源區(qū)上方所述絕緣體層頂部上的源極導板，
-設置在由所述漏極導板和所述源極導板所限定的區(qū)域外面所
述絕緣體層頂部上的柵極導板，
-第一耦接結構，此第一耦接結構包含用來耦接所述源極導板與
所述源區(qū)并從所述源極導板到達所述源區(qū)的通孔，
-第二耦接結構，此第二耦接結構包含用來耦接所述源極導板與
所述背面金屬層并從所述源極導板到達所述背面金屬層的通孔，
-在所述背面金屬層與從所述源極導板到達所述背面金屬層的
所述通孔之間的勢壘金屬層。
34.如權利要求33所述的半導體器件，其中，所述第一和第二
耦接結構還包含設置在所述通孔的底部處的勢壘金屬層。
35.如權利要求33所述的半導體器件，其中，所述第一和第二
耦接結構還包含設置在所述通孔的頂部處的勢壘金屬層。
36.如權利要求34所述的半導體器件，其中，底部處的勢壘金
屬層由鈦-氮化鈦構成。
37.如權利要求33所述的半導體器件，其中，第二耦接結構的
通孔包含絕緣的側壁層。
38.如權利要求33所述的半導體器件，其中，用鎢來填充第二
耦接結構的通孔。
39.如權利要求38所述的半導體器件，其中，第二耦接結構的
通孔還包括覆蓋鎢層的鉭-氮化鉭-銅晶種層。
40.如權利要求39所述的半導體器件，其中，用銅來填充第二
耦接結構的通孔。
41.如權利要求33所述的半導體器件，還包含環(huán)繞所述源區(qū)的
阱結構。
42.如權利要求33所述的半導體器件，還包含至少部分地覆蓋
所述柵極的場板。
43.如權利要求42所述的半導體器件，其中，場板覆蓋柵極的
部分頂部表面以及面對漏極導板的柵極的側。
44.如權利要求33所述的半導體器件，其中，第一耦接結構包
含多個通孔。
45.如權利要求34所述的半導體器件，其中，第二耦接結構包
含多個通孔。
46.如權利要求34所述的半導體器件，其中，第二耦接結構還
包含用來耦接所述源極導板與所述源區(qū)的第一源極通孔和用來耦接
所述第一源極通孔與所述背面金屬層的第二源極通孔。
47.如權利要求46所述的半導體器件，其中，所述第一源極通
孔包含設置在所述源極通孔的頂部和底部處的勢壘金屬層。
48.如權利要求47所述的半導體器件，其中，所述底部處的勢
壘金屬層具有環(huán)繞所述通孔的托盤的截面輪廓。
49.如權利要求47所述的半導體器件，其中，頂部和底部處的
勢壘金屬層由鈦-氮化鈦構成。
50.如權利要求46所述的半導體器件，其中，第一和第二源極
通孔包含鎢。
51.如權利要求46所述的半導體器件，其中，第二耦接結構包
含設置成交替圖案的多個通孔以及源極通孔。
52.如權利要求33所述的半導體器件，其中，襯底包含p⁺襯底
和p-外延層。
53.一種制作半導體器件的方法，包含下列步驟：
-提供包含橫向場效應晶體管的襯底，此橫向場效應晶體管包含
設置在所述襯底中的漏區(qū)和源區(qū)以及設置在淀積于所述襯底的頂部
上的絕緣層中的柵極結構，
-在所述襯底的頂部上執(zhí)行平面化工藝，
-在所述襯底的頂部上形成硬掩模，其在所述漏和源區(qū)的頂部上
分別包括至少一個窗口結構，
-通過所述窗口在所述襯底內(nèi)刻蝕至少一個通孔，
-用金屬填充所述通孔，
-在所述通孔的頂部上形成金屬導板結構，
-研磨所述襯底的底部表面，以便暴露所述通孔內(nèi)的金屬。
54.如權利要求53所述的方法，其中，用金屬填充通孔的步驟
包含下列步驟：
-在所述通孔中淀積絕緣層，
-在所述通孔內(nèi)淀積金屬。
55.如權利要求54所述的方法，其中，淀積絕緣層的步驟包括
下列步驟：
-在所述通孔中淀積未摻雜的硅玻璃，
-利用鈦-氮化鈦對所述通孔進行濺射和退火。
56.如權利要求54所述的方法，其中，淀積金屬的步驟包括下
列步驟：
-在所述通孔中淀積鎢，
-利用鉭-氮化鉭-銅晶種層對通孔進行濺射，
-用銅填充所述通孔。
57.如權利要求53所述的方法，還包含在形成金屬導板之前，
在所述通孔的頂部上淀積勢壘金屬層的步驟。
58.如權利要求53所述的方法，其中，在用金屬填充通孔的步
驟之后，通過化學機械拋光來平面化所述襯底的頂部表面。
59.如權利要求53所述的方法，還包含在所述通孔的暴露金屬
上淀積勢壘金屬層的步驟。
60.如權利要求53所述的方法，還包含在襯底的背面上淀積金
屬層的步驟。
61.如權利要求53所述的方法，其中，襯底包含p⁺襯底和p-外
延層。