本發明提供一種襯底處理裝置，所述襯底處理裝置用于形成CIS類太陽能電池的光吸收層，進行硒化或硫化處理，其中，具有與石英制的腔室相比易于加工的爐體。另外，本發明提供了與石英制的腔室相比易于加工的腔室。所述襯底處理裝置具有：處理室，容納有多個襯底，所述襯底形成有由銅-銦、銅-鎵或銅-銦-鎵中的任一種形成的層合膜；反應管，以構成處理室的方式形成；氣體供給管，向處理室中導入含硒元素氣體或含硫元素氣體；排氣管，將處理室內的氣體排出；及加熱部，以包圍反應管的方式設置，其中，反應管的基材由不銹鋼等金屬材料形成。

1.一種襯底處理裝置，具有：
處理室，容納多個襯底，所述襯底形成有由銅-銦、銅-鎵或
銅-銦-鎵中的任一種形成的層合膜；
反應管，以構成所述處理室的方式形成；
氣體供給管，向所述處理室中導入含硒元素氣體或含硫元素氣
體；
排氣管，將所述處理室內的氣體排出；及
加熱部，以包圍所述反應管的方式設置，
其中，所述反應管的基材由金屬材料形成，
所述反應管的靠所述處理室側的表面中的、至少暴露在所述含
硒元素氣體或含硫元素氣體中的表面上形成有涂膜，所述涂膜能夠
追隨由于與所述金屬材料的熱膨脹系數的不同所引起的熱膨脹·收
縮。
2.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述涂膜由與所
述金屬材料相比對所述含硒元素氣體的耐腐蝕性、或對所述含硫元
素氣體的耐腐蝕性高的材料形成。
3.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述涂膜是以陶
瓷作為主要成分的涂膜、或者是以碳作為主要成分的涂膜。
4.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述涂膜為多孔
狀的膜。
5.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述涂膜與所述
反應管的基材的金屬材料的線膨脹系數的偏差為20％以下。
6.如權利要求5所述的襯底處理裝置，其中，所述涂膜與所述
反應管的基材的金屬材料的線膨脹系數的偏差為5％以下。
7.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述反應管的基
材的金屬材料為不銹鋼。
8.一種CIS類太陽能電池的制造方法，包括下述工序：
搬入工序，將形成有層合膜的多個襯底收納到內部具有處理室
的反應管的處理室內，所述層合膜由銅-銦、銅-鎵、或銅-銦-
鎵中的任一種形成，所述反應管的基材由金屬材料構成，并且，所
述反應管的靠所述處理室側的表面中的、至少暴露在含硒元素氣體
或含硫元素氣體中的表面上形成有涂膜，所述涂膜能夠追隨由于與
所述金屬材料的熱膨脹系數的不同所引起的熱膨脹·收縮；
處理工序，加熱所述處理室，并且向所述處理室中導入含硒元
素氣體或含硫元素氣體，將所述多個襯底硒化或硫化；及
搬出工序，將所述處理室內的含硒元素氣體或含硫元素氣體排
出后，將所述多個襯底搬出。
9.一種襯底的制造方法，包括下述工序：
搬入工序，將形成有層合膜的多個襯底收納到內部具有處理室
的反應管的處理室內，所述層合膜由銅-銦、銅-鎵、或銅-銦-
鎵中的任一種形成，所述反應管的基材由金屬材料構成，并且，所
述反應管的靠所述處理室側的表面中的、至少暴露在含硒元素氣體
或含硫元素氣體中的表面上形成有涂膜，所述涂膜能夠追隨由于與
所述金屬材料的熱膨脹系數的不同所引起的熱膨脹·收縮；
處理工序，加熱所述處理室，并且向所述處理室中導入含硒元
素氣體或含硫元素氣體，將所述多個襯底硒化或硫化；
搬出工序，將所述處理室內的含硒元素氣體或含硫元素氣體排
出后，將所述多個襯底搬出。
10.一種反應管，其內部形成有處理室，所述處理室收納形成
有層合膜的多個襯底，并且通過導入含硒元素氣體或含硫元素氣體
對所述襯底進行處理，所述反應管的基材由金屬材料構成，并且，
所述反應管的靠所述處理室側的表面中的、至少暴露在所述含硒元
素氣體或含硫元素氣體中的表面上形成有涂膜，所述涂膜能夠追隨
由于與所述金屬材料的熱膨脹系數的不同所引起的熱膨脹·收縮。