本發明公開了一種基于多組測試探針的二極管光電測試方法，包括根據每臺電性測量設備連接的測試探針的組數對多個芯片進行分組，每組芯片的數量與每臺電性測量設備連接的測試探針的組數相同；采用測試探針對每個芯片進行電性測試；從多組測試探針中選擇一組，采用光性測量設備對一組芯片中的任一待測芯片進行光性測試，以獲得待測芯片的光性參數，該組芯片與多組測試探針對應；將已測的待測芯片的光性參數作為與已測的待測芯片在同一組中的未測芯片的光性參數。本發明基于單片晶圓的光性參數分布均勻且相鄰的2?3顆芯片的光性參數非常接近的特性，根據已測的芯片的光性參數通過代值的方式獲得的未被選取的芯片的光性參數很準確。

1.一種基于多組測試探針的二極管光電測試方法，適用于二極管的晶圓測試，單片晶
圓包括多個芯片，其特征在于，所述方法包括：
根據每臺電性測量設備連接的測試探針的組數對多個所述芯片進行分組，每組所述芯
片的數量與每臺所述電性測量設備連接的所述測試探針的組數相同；
采用所述測試探針對每個所述芯片進行電性測試，以獲得各個所述芯片的電性參數；
從每臺所述電性測量設備連接的多組測試探針中選擇一組，采用光性測量設備對一組
所述芯片中的任一待測芯片進行光性測試，以獲得所述待測芯片的光性參數，該組所述芯
片與多組測試探針對應；
將已測的所述待測芯片的光性參數作為與已測的所述待測芯片在同一組中的未測芯
片的光性參數；
其中，所述采用所述測試探針對每個所述芯片進行電性測試，以獲得各個所述芯片的
電性參數，包括：
采用分別與多臺所述電性測量設備連接的多組測試探針同時對每個芯片進行電性測
試，以獲得各個所述芯片的電性參數。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測芯片位于所在的一組所述芯片的
中心。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，每臺電性測量設備最多連接有七組測試探
針。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，每個所述芯片的所述電性測試包括：
將一組測試探針中的兩根測試探針分別接入一個所述芯片的P電極和N電極；
向兩根所述測試探針通入額定電流或額定電壓；
采用所述電性測量設備測量一個所述芯片的電性參數。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，每個所述待測芯片的所述光性測試包括：
將一組測試探針中的兩根測試探針分別接入一個所述待測芯片的P電極和N電極；
向兩根所述測試探針通入額定電流或額定電壓；
采用所述光性測量設備測量一個所述待測芯片的光性參數。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述晶圓為劃裂前的晶圓或者
為劃裂后的晶圓。
7.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述二極管為GaN基發光二極
管。
8.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述電性參數包括：開啟電壓
V_fin、工作電壓V_f、反向漏電流I_r和反向擊穿電壓V_r。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述光性參數包括：亮度I_v、工
作電壓V_f、主值波長W_d、峰值波長W_p、半波長H_W、CIE色度x坐標CIE-x和CIE色度y坐標CIE-y。