本發明描述了在半導體制造期間用于測量基板溫度的溫度探針與組合件和用于支撐基板的傳感器壓板。溫度探針包括溫度傳感器。各項實施例描述了具有安置在壓板的介電板內的開口的氣室，其中密封件安置在氣室中的開口周圍，使得氣室中的開口可以抵著基板密封。此外，溫度傳感器以及彈簧安置在氣室中，所述彈簧經偏置以將溫度傳感器放置成與基板接觸。另外，提供了經配置以利用低壓氣體對氣室加壓以便增加基板與溫度傳感器之間的熱導率的氣體源。

1.一種用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的組合件，包括：溫度傳感器，用于測量基板的溫度；氣室，整個設置在所述基板的背面上，所述氣室具有開口且安置在所述溫度傳感器周圍；密封件，安置在所述氣室中的所述開口周圍，所述密封件經配置以抵著所述基板密封所述氣室中的所述開口；彈簧，安置在所述氣室內，所述彈簧經偏置以將所述溫度傳感器放置成與所述基板接觸；以及氣體源，經配置以利用氣體對所述氣室加壓。2.根據權利要求1所述的用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的組合件，其中所述氣體源可以將所述氣室加壓到8托與10托之間的壓力。3.根據權利要求1所述的用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的組合件，進一步包括溫度傳感器觸點，所述溫度傳感器觸點安置在所述氣室內，所述溫度傳感器與所述溫度傳感器觸點進行熱接觸，并且所述彈簧經偏置以將所述溫度傳感器觸點放置成與所述基板接觸。4.根據權利要求3所述的用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的組合件，其中所述溫度傳感器安置在所述溫度傳感器觸點的第一表面上，所述第一表面與所述溫度傳感器觸點的第二表面相對，所述第二表面經配置以與所述基板接觸。5.根據權利要求3所述的用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的組合件，其中所述溫度傳感器嵌入在所述溫度傳感器觸點內。6.一種用于在半導體制造加工期間支撐基板的壓板，包括：介電板，用于支撐基板；溫度探針，安置在所述介電板中用于測量所述基板的溫度，所述溫度探針包括：溫度傳感器，用于測量所述基板的溫度；氣室，整個設置在所述基板的背面上，所述氣室具有開口且安置在所述溫度傳感器周圍；密封件，安置在所述氣室中的所述開口周圍，所述密封件經配置以抵著所述基板密封所述氣室中的所述開口；彈簧，安置在所述氣室內，所述彈簧經偏置以將所述溫度傳感器放置成與所述基板接觸；以及氣體源，經配置以利用氣體對所述氣室加壓。7.根據權利要求6所述的用于在半導體制造加工期間支撐基板的壓板，其中所述氣體源可以將所述氣室加壓到8托與10托之間的壓力。8.根據權利要求7所述的用于在半導體制造加工期間支撐基板的壓板，其中所述氣體是惰性氣體。9.根據權利要求6所述的用于在半導體制造加工期間支撐基板的壓板，進一步包括溫度傳感器觸點，所述溫度傳感器觸點安置在所述氣室內，所述溫度傳感器與所述溫度傳感器觸點進行熱接觸，并且所述彈簧經偏置以將所述溫度傳感器觸點放置成與所述基板接觸。10.根據權利要求9所述的用于在半導體制造加工期間支撐基板的壓板，其中所述溫度傳感器安置在所述溫度傳感器觸點的第一表面上，所述第一表面與所述溫度傳感器觸點的第二表面相對，所述第二表面經配置以與所述基板接觸。11.根據權利要求9所述的用于在半導體制造加工期間支撐基板的壓板，其中所述溫度傳感器嵌入在所述溫度傳感器觸點內。12.一種用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的溫度探針，包括：氣室，整個設置在所述基板的背面上且在壓板的介電板內界定開口，所述壓板經配置以支撐所述基板；溫度傳感器，用于測量所述基板的溫度；溫度傳感器觸點，與所述溫度傳感器進行熱接觸；密封件，安置在所述氣室中的所述開口周圍，所述密封件經配置以抵著所述基板密封所述氣室中的所述開口；彈簧，安置在所述氣室內，所述彈簧經偏置以將所述溫度傳感器觸點放置成與所述基板接觸；以及氣體源，經配置以利用氣體對所述氣室加壓。13.根據權利要求12所述的用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的溫度探針，其中所述氣體源經配置以將所述氣室加壓到8托與10托之間的壓力。14.根據權利要求13所述的用于在半導體制造加工期間測量基板的溫度的溫度探針，其中所述氣體是惰性氣體。